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HMC1087-Die

量产

8 W GaN MMIC功率放大器，2 - 20 GHz

数据手册产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

高Psat： +39 dBm
Psat下功率增益： +5.5 dB
高输出IP3： +45 dBm
小信号增益： 11 dB
电源电压： +28V (850 mA)
50 Ω匹配输入/输出
裸片尺寸： 2 x 4 x 0.1 mm

参考资料

数据手册 1

HMC1087-Die: 8 WATT GaN MMIC Power Amplifier, 2 - 20 GHz Data Sheet 10/20/2015

应用笔记 4

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC1087	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC1087-SX	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

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S-参数 1

HMC1087 Die S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.