DS1323

3.3V、设计灵活的非易失控制器，带有锂电池监测

简化四组非易失SRAM设计

数据手册 (Rev. 1)

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产品详情

将CMOS SRAM转换成非易失存储器
一旦V_CC超出容限范围，将无条件进入SRAM写保护
V_CC电源失效时，自动切换到后备电池
灵活的存储器结构
- 模式0：4组，每组1个SRAM
- 模式1：2组，每组2个SRAM
- 模式2：1组，每组4个SRAM
监测锂电池电压，在电池将要失效时发出预警信号
低电池电压条件下，触发低电平有效报警信号
电源失效时，可复位处理器并在系统上电过程中保持处理器的复位状态
10%电源失效检测
工作在工业级温度范围：-40°C至+85°C

参考资料

数据手册 2

DS1323: 3.3V Flexible Nonvolatile Controller with Lithium Battery Monitor Data Sheet (Rev.1) 05/15/2012

DS1323: 3.3V、设计灵活的非易失控制器，带有锂电池监测 Data Sheet (Rev.1) 05/28/2012

设计笔记 1

Battery Monitoring in NV SRAM Modules 06/28/2004

技术文章 1

NV SRAM Frequently Asked Questions 05/14/2002

这是最新版本的数据手册

硬件生态系统

部分模型	产品周期	描述
非易失性RAM控制器 3
DS1312		非易失控制器，带有锂电池监测器
DS1314	量产	3V、非易失控制器，带有锂电池监测器
DS1321		灵活的非易失控制器，带有锂电池

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