概览
优势和特点
- 将CMOS SRAM转换为非易失性存储器
- 当VCC超出容差时，对SRAM实施无条件写保护
- 发生VCC电源故障时自动切换至电池备用电源
- 监控锂电池的电压并在即将发生电池故障时发出预警
- 低电平有效时发出低电池电量状态信号电池警告输出信号
- 针对3.0V或3.3V电源进行自动VCC电源故障检测
- 节省空间的8引脚DIP和SOIC封装
- 可选的16引脚SOIC和20引脚TSSOP版本可在发生电源故障时复位处理器，并在系统上电期间使处理器保持复位状态
- 工业温度范围：−40°C至+85°C
产品详情
带电池监控器的DS1314非易失性控制器是一个CMOS电路，解决了将CMOS RAM转换为非易失性存储器的应用问题。监控输入功率是否发生超出容差的情况。当检测到这种情况时，芯片使能会被禁止以实现写保护，并且电池会开启以向RAM提供不间断电源。特殊电路采用低泄漏CMOS工艺，能够以超低的电池消耗提供高精度的电压检测。
除了备用电池支持之外，DS1314执行的重要功能还包括监控锂电池剩余电量并在电池电量耗尽之前发出警告。由于锂备用电池的开路电压在其使用寿命的大部分时间内保持相对恒定，因此准确的电池监控需要测量装载电池电压。为了执行此类测量，DS1314会定期将电池电压与精心选择的基准电压进行比较，因为它支持内部阻性负载。如果在这种情况下电池电压降至基准电压以下，电池电量很快就会耗尽。因此，电池警告引脚会被激活，以发出需要更换电池的信号。
产品分类
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
参考资料
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| DS1314E+ | 材料声明 | 质量和可靠性 | Thin Shrink Small-Outline Package | |
| DS1314E+T&R | 材料声明 | 质量和可靠性 | Thin Shrink Small-Outline Package | |
| DS1314S+ | 材料声明 | 质量和可靠性 | Small-Outline IC, Wide (0.3in) | |
| DS1314S+T&R | 材料声明 | 质量和可靠性 | Small-Outline IC, Wide (0.3in) | |
| DS1314S-2+ | 材料声明 | 质量和可靠性 | Small-Outline IC, Narrow (0.15in) | |
| DS1314S-2+T&R | 材料声明 | 质量和可靠性 | Small-Outline IC, Narrow (0.15in) | |
| DS1314S-2+T&R/C04 | 材料声明 | 质量和可靠性 | Small-Outline IC, Narrow (0.15in) | |
| Wafer Fabrication Data | DS1314 Reliability Data |
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