ADRF5160
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ADRF5160

0.7 GHz 至 4.0 GHz 高功率 88 W 峰值硅 SPDT 反射开关

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产品详情
特性
  • 反射式 50 Ω 设计
  • 低插入损耗:0.7 dB(典型值)至 2.0 GHz
  • TCASE = 105°C 下具有高功率处理能力
    • 长期(>10 年)平均值
      • 连续波功率:43 dBm
      • 峰值功率:49 dBm
      • LTE 平均功率 (8 dB PAR):41 dBm
    • 单一事件(<10 秒)平均值
      • LTE 平均功率 (8 dB PAR):44 dBm
  • 高线性度
    • P0.1dB:47 dBm(典型值)
    • IP3:70 dBm(典型值)
  • ESD 额定值
    • HBM:4 kV(3A 级)
    • CDM:1.25 kV
  • 单一正电源:5 V
  • 正控制,CMOS/TTL 兼容
  • 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装
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ADRF5160 是一款硅基高功率 0.7 GHz 到 4.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关,采用无引线的表面安装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用,例如长期演进 (LTE) 基站。ADRF5160 具有 41 dBm 的高功率处理能力(长期(>10 年)典型平均值 8 dB PAR LTE)、0.7 dB(典型值)至 2.0 GHz 的低插入损耗、70 dBm 的输入 3 阶交调点 (IP3)(典型值)和 47 dBm 的 0.1 dB 压缩点 (P0.1dB)。片内电路使用 5 V 的单一正电源工作,典型电源电流为 1.1 mA,使得 ADRF5160 成为基于 Pin 二极管的开关的理想替代方案。

ADRF5160 采用符合 RoHS 指令的紧凑式 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装。

应用

  • 无线基础设施
  • 军事和高可靠性应用
  • 测试设备
  • Pin 二极管替代方案

产品技术资料帮助

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参考资料

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产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号,脚注和 3D模型
ADRF5160BCPZ
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