概览

优势和特点

  • Output power for 1 dB compression (P1dB): 28 dBm typical
  • Saturated output power (PSAT): 30 dBm typical
  • Gain: 15 dB typical
  • Output third-order intercept (IP3): 40 dBm typical
  • Supply voltage: 5 V at 600 mA
  • 50 Ω matched input/output
  • Die size: 2.75 mm x 1.805 mm x 0.1 mm

产品详情

The ADPA7002 is a gallium arsenide (GaAs), monolithic microwave integrated circuit (MMIC), pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT), distributed power amplifier that operates from 20 to 44 GHz. The amplifier provides 15 dB of small signal gain, 28 dBm output power at 1 dB gain compression and a typical output IP3 of 40dBm, while requiring 600 mA from a 5 V supply on VDD. The ADPA7002 also features inputs/outputs (I/Os) that are internally matched to 50 Ω, facilitating integration into Multi-Chip Modules (MCMs). All data is taken with the chip connected via two 0.025 mm (1 mil) wire bonds of minimal length 0.31 mm (12 mils).

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本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

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