ADMV1550

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15 GHz至65 GHz，GaAs，MMIC，双平衡混频器

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概述

  • 转换损耗：8 dB（典型值，15 GHz至50 GHz时）
  • 输入IP3（下变频器）：20 dBm（典型值，15 GHz至50 GHz时）
  • 输入IP2（下变频器）：40 dBm（典型值，15 GHz至50 GHz时）
  • 输入P1dB（上变频器）：11 dBm（典型值）
  • LO至RF隔离：35 dB（典型值）
  • LO至IF隔离：35 dB（典型值）
  • RF至IF隔离：45 dB（典型值，15 GHz至50 GHz时）
  • 符合RoHS标准的18引脚、4 mm × 4 mm LGA封装

ADMV1550是一款通用型双平衡混频器，采用无铅RoHS兼容型表贴技术(SMT)封装，可用作15 GHz至65 GHz范围内的上变频器或下变频器。中频(IF)端口上具有DC至20 GHz的宽带宽，可进行灵活的频率规划以免出现杂散产物。该混频器采用砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。ADMV1550采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至IF抑制性能。该混频器采用15 dBm（典型值）的LO幅度运行。符合RoHS标准的ADMV1550无需线焊，可使用表贴制造技术。ADMV1550采用紧凑型4 mm × 4 mm、18引脚基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。

应用

  • 微波和小型卫星地面站(VSAT)无线电
  • 测试设备
  • 军事电子战(EW)
  • 电子对抗(ECM)
  • 指挥、控制、通信和情报
ADMV1550
15 GHz至65 GHz，GaAs，MMIC，双平衡混频器
ADMV1550 - Functional Block Diagram ADMV1550 - Pin Configuration
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应用所用的电路板必须采用RF电路设计技术。信号线必须具有50 Ω阻抗，封装接地引线和裸露焊盘必须直接连接到接地平面，类似于图122所示。利用足够数量的通孔连接顶部和底部接地平面。评估电路板可向ADI公司申请获得。
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