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特性
- ADM660: 使输入电源电压反相或加倍
- ADM8660: 使输入电源电压反相
- 输出电流：100 mA
- 关断功能(ADM8660)
- 2.2 µF或10 µF电容
- 0.3 V 压降（30 mA负载）
- 采用+1.5 V至+7 V电源供电
- 低功耗CMOS：600 µA静态电流
- 可选电荷泵频率(25 kHz/120 kHz)
- MAX660、MAX665、ICL7660的引脚兼容升级器件
- 提供16引脚TSSOP封装
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利用频率控制(FC)输入引脚，可选择25 kHz或120 kHz的电荷泵工作频率，以便优化电容大小和静态电流。选择25 kHz时，适合用10 µF外部电容，而选择120 kHz时，电容大小可减至2.2 µF。ADM660上的振荡器频率也可以利用与OSC输入相连的外部电容进行控制，或利用外部时钟驱动OSC输入进行控制。在需要较高电源电压的应用中，可以利用ADM660使输入电压加倍。对于2.5 V至7 V输入电压，可实现5 V至14 V输出电压，输出电流高达100 mA。
ADM8660采用低功耗关断(SD)引脚代替外部振荡器(OSC)引脚。该引脚可以用来禁用该器件，将静态电流降至300 nA。
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产品技术资料帮助
ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许，也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。
参考资料
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADM8660ANZ |
8-Lead PDIP
|
|
|
| ADM8660ARZ |
8-Lead SOIC
|
|
- ADM8660ANZ
- 引脚/封装图-中文版
-
8-Lead PDIP
- 文档
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
- ADM8660ARZ
- 引脚/封装图-中文版
-
8-Lead SOIC
- 文档
-
HTML
Material Declaration
-
HTML
Reliablity Data
- CAD 符号，脚注和 3D模型
-
Ultra Librarian
-
SamacSys
根据型号筛选
产品型号
产品生命周期
PCN
8月 19, 2009
- 07_0024
Package Material Changes for SOT23, MiniSO, MQFP, PDIP, PLCC, SOIC (narrow and wide body), SSOP, TSSOP and TSSOP exposed pad
2月 3, 2009
- 08_0001
Qualification of 8" 3um BiCMOS wafer fab process at Analog Devices, Limerick, Ireland.
ADM8660ANZ
量产
ADM8660ARZ
量产
12月 16, 2010
- 10_0356
Halogen Free Material Change for ADM8660- SOIC Product
ADM8660ARZ
量产
根据型号筛选
产品型号
产品生命周期
PCN
8月 19, 2009
- 07_0024
Package Material Changes for SOT23, MiniSO, MQFP, PDIP, PLCC, SOIC (narrow and wide body), SSOP, TSSOP and TSSOP exposed pad
2月 3, 2009
- 08_0001
Qualification of 8" 3um BiCMOS wafer fab process at Analog Devices, Limerick, Ireland.
12月 16, 2010
- 10_0356
Halogen Free Material Change for ADM8660- SOIC Product
