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概览

优势和特点

  • P1dB:2 GHz 到 6 GHz 时为 20 dBm(典型值)
  • PSAT:2 GHz 到 6 GHz 时为 20.5 dBm(典型值)
  • 增益:6 GHz 到 28 GHz 范围内为 15.5 dB(典型值)
  • 噪声指数:2 GHz 到 20 GHz 范围内为 2.5 dB(典型值)
  • OIP3:2 GHz 到 6 GHz 时为 26 dBm(典型值)
  • 电源电压:53 mA 时 5 V
  • 匹配 50 Ω 的输入输出
    ADL9006CHIPS
  • P1dB:2 GHz 到 14 GHz 时为 19 dBm(典型值)
  • 增益:14 GHz 到 22 GHz 范围内为 15.5 dB(典型值)
  • 噪声指数:2 GHz 至 14 GHz 时为 2.2 dB
  • 输出 IP3 :2 GHz 到 14 GHz 时为 24 dBm(典型值)
  • 电源电压:5 V,总电源电流为 55 mA
  • 匹配 50 Ω 的输入输出

产品详情

ADL9006是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器,工作频率范围为2 GHz至28 GHz。该放大器提供15.5 dB增益、2.5 dB噪声系数、26 dBm输出三阶交调截点(OIP3)和20 dBm输出功率(1 dB压缩(P1dB)),功耗为53 mA(采用5 V电源)。ADL9006仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现53 mA的电源电流(IDD)。

ADL9006放大器输入和输出内部匹配50 Ω。

ADL9006CHIPS

ADL9006CHIPS是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器,工作频率范围为2 GHz至28 GHz。该放大器提供15.5 dB增益、2.2 dB噪声系数、24 dBm输出三阶交调截点(IP3)、20 dBm输出饱和功率(PSAT)和19 dBm功率输出(1 dB压缩(P1dB)),电源电流(IDD)为55 mA(采用5 V总电源电压时)。ADL9006CHIPS仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现55 mA的IDD

ADL9006CHIPS放大器输入和输出内部匹配50 Ω,可方便地集成至多芯片模块(MCM)。

应用

  • 测试仪器仪表
  • 军事与太空
  • 本振驱动器放大器


  • ADL9006CHIPS
  • 测试仪器仪表
  • 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
  • 军事与太空

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Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
ADL9006ACGZN 材料声明 质量和可靠性 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP)
ADL9006ACGZN-R7 材料声明 质量和可靠性 32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP)
ADL9006C-KIT 材料声明 质量和可靠性 CHIPS OR DIE
ADL9006CHIPS 材料声明 质量和可靠性 CHIPS OR DIE
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