不是您想寻找的产品?
提问
在下面提交您的问题,我们将从 ADI 的知识库中给出最佳答案:
您可以在其他地方找到帮助
特性
- 单一正电源(自偏置)
- 电阻可编程偏置设置
- 正增益斜率对频率
- 宽带操作:10 kHz 至 10 GHz
- 扩展的工作温度范围:−55°C 至 +125°C
- 符合 RoHS 标准的 2 mm x 2 mm、8 引脚 LFCSP 封装
ADL8122 是一款宽带低噪声放大器 (LNA),工作频率范围为 10 kHz 至 10 GHz。从 2 GHz 到 6 GHz,典型的增益和噪声系数分别为 17 dB 和 2 dB。1 dB 压缩(OP1dB)、输出三阶截距(OIP3)和输出二阶截距(OIP2)的参数分别为 20 dBm、33.5 dBm 和 37 dBm,频率范围为 2 GHz 至 6 GHz。标称静态电流 (IDQ) 可调节,在 5 V 电源电压 (VDD) 下为 95 mA。内部匹配的直流耦合 RF 输入和输出引脚需要外部交流耦合电容器以及 RFOUT 上的偏置电感器。此外,RF 输入通过连接在 VBIAS 引脚和 RFIN 引脚之间的外部电感器进行偏置。
ADL8122 采用伪晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 工艺制造。该器件采用符合 RoHS 标准的 2 mm × 2 mm 8 引脚 LFCSP 封装,额定工作温度范围为 −55°C 至 +125°C。
应用
- 电信
- 仪器仪表
- 雷达
- 电子战
提问
在下面提交您的问题,我们将从 ADI 的知识库中给出最佳答案:
您可以在其他地方找到帮助
{{modalTitle}}
{{modalDescription}}
{{dropdownTitle}}
- {{defaultSelectedText}} {{#each projectNames}}
- {{name}} {{/each}} {{#if newProjectText}}
- {{newProjectText}} {{/if}}
{{newProjectTitle}}
{{projectNameErrorText}}
参考资料
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
---|---|---|---|
ADL8122ACPZN | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 |
|
|
ADL8122ACPZN-R7 | 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85 |
|
- ADL8122ACPZN
- 引脚/封装图-中文版
- 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85
- 文档
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CAD 符号,脚注和 3D模型
- Ultra Librarian
- SamacSys
- ADL8122ACPZN-R7
- 引脚/封装图-中文版
- 8-lead LFCSP 2 mm × 2 mm × 0.85
- 文档
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CAD 符号,脚注和 3D模型
- Ultra Librarian
- SamacSys
软件和型号相关生态系统
评估套件 1
EVAL-ADL8122
评估 ADL8122 10 kHz 至 10 GHz、宽带、低噪声放大器
产品详情
ADL8122-EVALZ 和 ADL8122-EVAL1Z 采用 0.254 mm (10 mil) 厚的 Rogers 4350B 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印刷电路板 (PCB),标称厚度为 1.63 mm (64mil)。ADL8122-EVALZ 被设计用于支持 10 MHz 至 10 GHz 的操作,而 ADL8122-EVAL1Z 被设计用于将频率操作扩展至低至 10 kHz。ADL8122-EVAL1Z 仍可在高达 10 GHz 的频率下运行。ADL8122-EVALZ 和 ADL8122-EVAL1Z 上的 RFIN 和 RFOUT 端口装有超小型 A (SMA) 母头同轴连接器。ADL8122-EVALZ 和 ADL8122-EVAL1Z 配备适合在 −55°C 至 +125°C 整个工作温度范围内使用的组件。
为了校准电路板走线损耗,在 J1 和 J2 连接器之间提供了直通校准路径。J1 和 J2 必须安装 RF 连接器,才能使用该直通校准路径。有关 ADL8122-EVALZ 和 ADL8122-EVAL1Z. 的直通校准路径性能,请参见图 11 和表 1。
通过表面贴装技术 (SMT) 测试点连接器 GND 和 VDD 访问 ADL8122-EVALZ 和 ADL8122-EVAL1Z 接地和漏极电压。包含一个 VRBIAS 补充测试点,用于通过 RBIAS 引脚进行简单访问(有关测试点位置,请参见图 12 和图 14)。
ADL8122-EVALZ 和 ADL8122-EVAL1Z 上的 RF 走线为 50 Ω、接地、共面波导。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔用于连接顶部和底部接地平面,并特别集中在接地焊盘正下方的区域,以便提供充分的导电性和导热性。
ADL8122-EVALZ 和 ADL8122-EVAL1Z 上的电源去耦电容代表用于表征和评定套件的配置。
有关 ADL8122的完整详细信息,请参阅 ADL8122 数据手册,使用 ADL8122-EVALZ 和 ADL8122-EVAL1Z 时必须同时参阅该数据手册和本用户指南。
资料