HMC6505

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GaAs MMIC I/Q上变频器,采用SMT封装,5.5 - 8.6 GHz

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概述

  • 高转换增益: 15 dB
  • 边带抑制: 22 dBc
  • LO / RF抑制: 14 dBc
  • 高输出IP3: +35 dBm
  • 32引脚5x5mm SMT封装: 25mm²

HMC6505LC5是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供15 dB的小信号转换增益和22 dBc的边带抑制性能。 HMC6505LC5采用RF放大器工作,前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC6505LC5为混合型单边带上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造技术。

应用

  • 点对点和点对多点无线电
  • 军用雷达、EW和ELINT
  • 卫星通信
  • 传感器

HMC6505
GaAs MMIC I/Q上变频器,采用SMT封装,5.5 - 8.6 GHz
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