HMC434
推荐用于新设计
使用InGaP HBT技术,8分频,采用SMT封装,DC - 8 GHz
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概述
- 超低SSB相位噪声: -150 dBc/Hz
- 单端输入/输出
- 输出功率:-2 dBm(典型值)
- 单电源供电:3 V
- 超小型、2.90 mm × 2.80 mm、6引脚SOT-23表贴封装
HMC434-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准)
- 下载HMC434-EP数据手册(pdf)
- 军用温度范围(−55℃至+105°C)
- 受控制造基线
- 封装/测试厂
- 制造厂
- 增强型产品变更通知
- 认证数据可应要求提供
- V62/16609 DSCC图纸号
HMC434是一款低噪声、静态、8分频预分频器单芯片微波集成电路(MMIC),利用磷化铟镓/砷化镓(InGaP/GaAs)异质结双极性晶体管(HBT)技术,采用超小型6引脚SOT-23表贴封装。
HMC434采用3 V单直流电源供电,工作频率范围为接近直流(方波)或200 MHz(正弦波)至8 GHz输入频率。
HMC434具有单端输入和输出,可减少元件数量并降低成本。100 kHz偏置时的低加性单边带(SSB)相位噪声为-150 dBc/Hz,有助于用户保持最佳系统噪声性能。
应用
- 直流至C频段PLL预分频器
- 甚小孔径终端(VSAT)无线电
- 免执照国家信息基础设施(UNII)和点对点无线电
- IEEE 802.11a和高性能无线电局域网(HiperLAN) WLAN
- 光纤产品
- 蜂窝/3G基础设施
参考资料
数据手册 3
用户手册 1
应用笔记 1
产品选型指南 1
质量文档 4
磁带和卷轴规格 1
这是最新版本的数据手册
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