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HMC370 Data Sheet3/22/2019PDF603K
概览
优势和特点
- 输出功率： 0 dBm
- 次谐波抑制： >22 dBc
- SSB相位噪声： -140 dBc/Hz
- 单电源： 5V (55 mA)
- 16 mm²无铅SMT封装
产品详情
HMC370LP4(E)是一款利用InGaP GaAs HBT技术制造而成的有源微型x4倍频器，采用4x4 mm无铅表面贴装封装。 在5V电源电压下，功率输出为0 dBm（典型值）且相对输入功率、温度和电源电压变化很小。 相对于输入信号电平，无用基波和次谐波抑制大于22 dBc（典型值）。 100 kHz失调时，加性SSB相位噪声低至-140 dBc/Hz，可帮助用户保持良好的系统噪声性能。 HMC370LP4(E)非常适合LO倍频器链路，与传统方法相比可以减少器件数量。
应用
- 点对点和VSAT无线电
- 光纤产品
- 军事
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
参考资料
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RF、微波和毫米波IC选型指南7/13/2018PDF3 M
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Package/Assembly Qualification Test Report: Plastic Encapsulated QFN (QTR: 05006 REV: 02)4/25/2017PDF0 M
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Semiconductor Qualification Test Report: GaAs HBT-A (QTR: 2013-00228)10/29/2015PDF762 K
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Package/Assembly Qualification Test Report: LP4, LP4B, LP4C, LP4K (QTR: 2013-00487 REV: 04)10/29/2015PDF1M
-
Active Multipliers & Dividers to Simplify Synthesizers4/22/2015PDF155 K
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4 x 4 mm QFN Tape Specification (LP4, LP4B, LP4C, LC4, LC4B)10/28/2015PDF458 K
工具及仿真模型
S参数
ZIP
HMC370 S-Parameters
6.3 K
设计资源
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