HMC1121

推荐用于新设计

4 W、GaAs pHEMT MMIC功率放大器，5.5 GHz至8.5 GHz

产品模型: 2

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概述

高饱和输出功率(PSAT)：36.5 dBm（功率附加效率(PAE)为30%时）
高输出三阶交调截点(IP3)：44 dBm（典型值）
高增益：28 dB（典型值）
针对1 dB压缩(P1dB)的高输出功率：36 dBm（典型值）
总电源电流：2200 mA (7 V)
40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装：36 mm²

HMC1121是一款集成温度补偿片内功率检波器的三级、砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、4 W功率放大器，工作频率范围为5.5 GHz至8.5 GHz。HMC1121提供28 dB增益，44 dBm输出IP3和36.5 dBm饱和输出功率，7 V电源电压(30% PAE)。

HMC1121提供卓越的线性度并针对高容量、点到点和点到多点无线电系统进行优化。该放大器的配置和高增益使之成为天线之前最后一级信号放大应用的较佳选择。

HMC1121非常适合较大规模应用，提供40引脚LFCSP封装。

应用

点对点无线电
点对多点无线电
甚小孔径终端(VSAT)和卫星通信(SATCOM)
军事电子战(EW)和电子对抗(ECM)

产品模型: 2

参考资料

数据手册 1

HMC1121: 4 W, GaAs, pHEMT, MMIC Power Amplifier, 5.5 GHz to 8.5 GHz Data Sheet (Rev.A) 07/27/2016

应用笔记 5

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note 11/11/2015

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

AN-2578: Using the VREF Pin of RF Amplifier Power Detectors to Monitor Die Temperature 02/12/2024

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC1121LP6GE	40-Lead QFN (6mm x 6mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data 资料包	Ultra Librarian SamacSys
HMC1121LP6GETR	40-Lead QFN (6mm x 6mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data 资料包	Ultra Librarian SamacSys

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S-参数 1

HMC1121LP6GE S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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