製品概要
機能と利点
- 低ノイズ指数: 1.1 dB（代表値）
- 高ゲイン: 19.5 dB（代表値）
- 高出力 3 次インターセプト・ポイント（IP3）: 33 dBm（代表値）
- 6 ピン、2 mm × 2 mm LFCSP パッケージ
製品概要
HMC8410 は、ガリウム・ヒ素（GaAs）モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）の擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ（pHEMT）低ノイズ広帯域アンプで、動作範囲は 0.01 GHz ～ 10 GHz です。このデバイスは、19.5 dB のゲイン、1.1 dB のノイズ指数、33 dBm の出力 IP3（それぞれ代表値）を提供し、5 V 電源電圧から 65 mA を必要とします。この低ノイズ・アンプ（LNA）は、飽和出力電力（PSAT）が最大 22.5 dBm なので、アナログ・デバイセズの多くのバランスド・ミキサー、I/Q ミキサーやイメージ除去ミキサー用の局部発振器（LO）ドライバとして機能することができます。
HMC8410 は内部で 50 Ω に整合した入出力（I/O）も備えているため、表面実装技術（SMT）ベースの大容量マイクロ波無線のアプリケーションに最適です。
HMC8410 は RoHS 準拠の 2 mm × 2 mm LFCSP パッケージに収められています。
多機能ピンの名称は、該当する機能のみで表されることがあります。
アプリケーション
- ソフトウェア無線
- 電子戦
- レーダー・アプリケーション
製品ライフサイクル
製造中
この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産／供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。
評価キット (1)
参考資料
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
ZIP
HMC8410 S-Parameters
13.32 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| HMC8410LP2FE | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | 6-Lead LFCSP (2mm x 2mm x 0.85mm w/ EP) | |
| HMC8410LP2FETR | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | 6-Lead LFCSP (2mm x 2mm x 0.85mm w/ EP) | |
| ウェハ・ファブリケーション・データ |
PCN-PDN情報
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サポート ＆ ディスカッション
HMC8410LP2FE Discussions
サンプル＆購入
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購入価格
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リスト価格
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価格は1個当たりの米ドルで、米国内における販売価格（FOB）で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。 また、その価格は変更されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。