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  2. アンプ
  3. RFアンプ
  4. 低ノイズ・アンプ
  5. HMC8400-DIE


製品概要

機能と利点

  • 1 dB 圧縮ポイント(P1dB)の出力電力: 14.5 dBm(代表値)
  • 飽和出力電力(PSAT): 17 dBm(代表値)
  • ゲイン: 13.5 dB(代表値)
  • ノイズ指数: 2 dB
  • 出力 3 次インターセプト・ポイント(IP3): 26.5 dBm(代表値)
  • 電源電圧: 5 V/67 mA
  • 50 Ω に整合した入出力
  • ダイ・サイズ: 2.7 mm x 1.35 mm x 0.1 mm

製品概要

HMC8400 は、ガリウム・ヒ素(GaAs)擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)です。HMC8400 は広帯域低ノイズ・アンプで、動作範囲は 2 GHz ~ 30 GHz です。このアンプは、13.5 dB のゲイン、2 dB のノイズ指数、26.5 dBm の出力 IP3、1 dB ゲイン圧縮ポイントでの 14.5 dBm の出力電力を提供し、5 V 電源から 67 mA を必要とします。HMC8400 は、67 mA のドレイン電流 IDD を生成するのに必要な正の単電源だけで自己バイアスします。HMC8400 にはゲイン制御オプション VGG2 もあります。HMC8400 アンプの入出力は内部で 50 Ω に整合し、DC ブロックされているため、マルチチップ・モジュール(MCM)に容易に組み込むことができます。全てのデータは、チップを最短 0.31 mm(12 mil)の 2 本の 0.025 mm(1 mil)ワイヤ・ボンドで接続して測定したものです。

アプリケーション

  • 試験用計測器
  • マイクロ波無線および超小型地上局(VSAT)
  • 防衛および宇宙
  • 通信インフラストラクチャ
  • 光ファイバ

製品ライフサイクル icon-recommended 製造中

この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産/供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。

ツールおよびシミュレーション

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

S-Parameters

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。

製品番号 材料宣誓書(MD) 信頼性データ ピン/パッケージ図 CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル
HMC8400 材料宣誓書(MD) 信頼性データ CHIPS OR DIE
HMC8400-SX 材料宣誓書(MD) 信頼性データ CHIPS OR DIE
ウェハ・ファブリケーション・データ

サンプル&購入


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(*)価格は1Ku当たりの米ドルで、米国内における販売価格(FOB)で表示されておりますので、予算のためにのみご使用いただけます。また、その価格は変更されることがあります。米国以外のお客様への価格は、輸送費、各国の税金、手数料、為替レートにより決定されます。価格・納期等の詳細情報については、弊社正規販売代理店. または担当営業にお問い合わせください。なお、 評価用ボードおよび評価用キットの表示価格は1個構成としての価格です。

 

リードタイム


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