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HMC565-Die: GaAs PHEMT MMIC Low Noise Amplifier, 6 - 20 GHz Data Sheet10/20/2015PDF566 K
製品概要
機能と利点
- ノイズ指数: 2.3 dB
- ゲイン: 22 dB
- OIP3: 20 dBm
- 単電源: +3 V/53 mA
- 50 Ω に整合した入出力
- 小型: 2.53 mm x 0.98 mm x 0.10 mm
製品概要
HMC565 は、広ダイナミック・レンジの GaAs PHEMT MMIC 低ノイズ・アンプ（LNA）チップで、動作範囲は 6 GHz ～ 20 GHz です。HMC565 は動作帯域にわたり、22 dB の小信号ゲイン、2.3 dB のノイズ指数、20 dBm の安定した IP3 を提供します。この自己バイアス LNA は、小型で、広帯域性能を持ち、+3 V 単電源で動作し、DC ブロックされた RF I/O を備えているので、ハイブリッドや MCM のアセンブリに最適です。全てのデータは、直径 0.025 mm（1 mil）、最短 0.31 mm（12 mil）の 2 本のボンディング・ワイヤを使用し、チップを 50 Ω 試験装置に接続して測定したものです。
アプリケーション
- ポイント to ポイント無線
- ポイント to マルチポイント無線および VSAT
- 試験装置およびセンサー
- 防衛および宇宙
製品ライフサイクル
製造中
この製品ファミリーの1つ以上の型番が生産／供給中です。新規の設計に適していますが、より新しい代替製品を提供している場合があります。
参考資料
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AN-1604: LFCSP パッケージおよびフランジ・パッケージに収容された RF アンプの温度管理計算 (Rev. 0)8/9/2019PDF247 K
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Thermal Management for Surface Mount Components General Application Note11/11/2015PDF189 K
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RF/マイクロ波/ミリ波IC セレクション・ガイド11/2/2022PDF7 M
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Semiconductor Qualification Test Report: PHEMT-A (QTR: 2013-00267)4/22/2015PDF779 K
ツールおよびシミュレーション
Sys-Parameters
Sys-Parameter Models for Keysight Genesys
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
ZIP
HMC565 Die S-Parameters
11.69 K
設計ツール
ADIsimRF
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
設計リソース
アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。詳細についてはアナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム/認定証をご覧ください。
| 製品番号 | 材料宣誓書（MD） | 信頼性データ | ピン/パッケージ図 | CADシンボル、フットプリント & 3Dモデル |
|---|---|---|---|---|
| HMC565 | 成分表 | 品質および信頼性 | CHIPS OR DIE | |
| HMC565-SX | 成分表 | 品質および信頼性 | CHIPS OR DIE | |
| Wafer Fabrication Data |
サポート ＆ ディスカッション
サンプル＆購入
ご注文に関するFAQ
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