類似製品
製品概要
機能と利点
- 高飽和出力電力（PSAT）: 41.5 dBm（代表値）
- 高い小信号ゲイン: 35 dB（代表値）
- 飽和出力電力での高パワー・ゲイン: 25.5 dB（代表値）
- 帯域幅: 2.7 GHz ～ 3.8 GHz
- 高電力付加効率（PAE）: 54 %（代表値）
- 高出力 IP3: 44 dBm（代表値）
- 電源電圧: VDD = 28 V（150 mA）
- 32 ピン、5 mm × 5 mm LFCSP_CAV パッケージ
製品概要
HMC1114LP5DE は窒化ガリウム（GaN）の広帯域パワー・アンプで、2.7 GHz ～ 3.8 GHz の帯域にわたって 50 % 以上の電力付加効率（PAE）で 10 W を供給します。ゲイン平坦度は ±0.5 dB です。
HMC1114LP5DE は、ワイヤレス・インフラストラクチャ、レーダー、公共モバイル無線、汎用増幅機器などのパルス波や連続波（CW）のアプリケーションに最適です。
小型 LFCSP_CAV パッケージ収容です。
アプリケーション- 公共モバイル無線の長時間バッテリ動作
- ワイヤレス・インフラストラクチャのパワー・アンプ段
- 試験装置および計測装置
- 民生用および防衛用レーダー
- 汎用トランスミッタ増幅機器
製品カテゴリ
マーケット＆テクノロジー
製品ライフサイクル
最終販売
このファミリーの全製品について製造中止が予定されています。製品の最終購入をご検討の場合は、弊社営業担当、あるいは販売代理店にお問い合わせください。また、「製造中止情報」 をご覧いただき、最終受注期限および最終引き受け納期をご確認ください。
評価キット (1)
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ドキュメント
アプリケーション・ノート (3)
ツール
Sys-Parameters
Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.
S-Parameters
設計ツール
アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。
参考資料
セレクション・ガイド (1)
L および S バンド・ダイレクト RF
トランスミッタの完全なソリューション：RF対応のDACからGaNベースのハイ・パワー・アンプまで
設計リソース
ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well. "Zero defects" for shipped products is always our goal.
PCN-PDN Information
サンプル＆購入
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