ADM2682E

製造中

±15kV ESD保護機能を備えた16Mbps、5kV rmsの信号／電源絶縁型RS-485トランシーバ

データシート (Rev. D)

製品セレクション・テーブル

製品モデル: 2
1Ku当たりの価格: 最低価格：$10.15

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製品情報

5kV rmsの絶縁型RS-485/RS-422トランシーバ、半2重または全2重に構成可能
isoPower^®内蔵の絶縁型DC/DCコンバータ
RS-485の入力／出力ピンに±15 kVのESD保護
ANSI/TIA/EIA-485-A-98およびISO 8482:1987(E)に対応
データ・レート：16Mbps（ADM2682E）、500kbps（ADM2687E）
5Vまたは3.3V動作
1バスに最大256個のノードを接続可能
オープン／短絡、フェイルセーフ・レシーバ入力
高いコモンモード過渡電圧耐性：>25 kV/μs
サーマル・シャットダウン保護機能
安全および規制の認可

UL 1577

V_ISO = 5000V rms（1分間）

IEC/CSA 62368-1
IEC/CSA 60601-1
IEC/CSA 61010-1
CQC GB 4943.1
DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)（申請中）

V_IORM = 846V peak

動作温度範囲：−40°C～+85°C
沿面距離およびクリアランスが8mmを超える16ピン・ワイドボディSOIC

ADM2682E/ADM2687Eは、信号と電源を絶縁し±15kVのESD保護機能を備えた5kV rms完全統合型データ・トランシーバであり、マルチポイント伝送ラインでの高速通信に最適なデバイスです。ADM2682E/ADM2687Eは5kVrmsの絶縁型DC/DCコンバータを内蔵しているため、外部のDC/DC絶縁ブロックは不要です。

これらの製品は、平衡伝送線向けにデザインされ、ANSI/TIA/EIA-485-A-98およびISO 8482:1987(E)に対応しています。

このデバイスはアナログ・デバイセズのiCoupler^®技術を採用しており、3チャンネル・アイソレータ、スリーステート差動ライン・ドライバ、差動入力レシーバ、アナログ・デバイセズのisoPower^® DC/DCコンバータを1つのパッケージに組み込んだものです。これらのデバイスは、5Vあるいは3.3Vの単電源で給電され、完全統合型の信号／電源絶縁RS-485ソリューションを実現します。

ADM2682E/ADM2687Eドライバはアクティブ・ハイのイネーブルを持っています。また、ディスエーブル状態の場合にはレシーバ出力を高インピーダンス状態にするアクティブ・ローのレシーバ・イネーブルも用意されています。

これらのデバイスには、電流制限機能とサーマル・シャットダウン機能も備わっているため、出力短絡の場合やバス競合時に消費電力が大きくなるような状況の場合に対して保護されています。工業用温度範囲にわたって完全に仕様規定されており、8mm以上の沿面距離とクリアランスを備えた16ピン高集積ワイド・ボディSOICパッケージを採用しています。

ADM2682E/ADM2687EはisoPower技術を使用しており、トランスを介して電力を転送するために、高周波スイッチング素子を内蔵しています。プリント回路基板（PCB）のレイアウト時には、エミッション規格を満たすように特別な注意が必要です。基板レイアウトの詳細については、アプリケーション・ノートAN-0971「isoPowerデバイスでのEMI放射制御についての推奨事項」を参照してください。

アプリケーション

絶縁型RS-485/RS-422インターフェース
工業用フィールド・ネットワーク
マルチポイント・データ伝送システム

製品モデル: 2
1Ku当たりの価格: 最低価格：$10.15

ドキュメント

よく聞かれる質問 1

FAQ 05/17/2017

アナログ・デバイセズは、最高レベルの品質と信頼性を満たす製品を供給することを常に最重要視しています。これを実現するため、製品、プロセス設計、更には製造プロセスに対しあらゆる観点から品質と信頼性のチェックを行っています。アナログ・デバイセズでは出荷製品に対する「ゼロ・ディフェクト」を常に目指しています。詳細については、アナログ・デバイセズの品質および信頼性プログラム、認証のページを参照してください。

製品モデル	ピン／パッケージ図	資料	CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
ADM2682EBRIZ	16-Lead SOIC (Increased Creepage)	Material Declaration Reliability Report パッケージ関連資料	Ultra Librarian SamacSys
ADM2682EBRIZ-RL7	16-Lead SOIC (Increased Creepage)	Material Declaration Reliability Report パッケージ関連資料	Ultra Librarian SamacSys

製品モデル	製品ライフサイクル	PCN

3 13, 2024 - 23_0069 Qualification Notification of Alternate Wafer Fab Site at ADI Limerick for Select Isolator Products
		PCN23_0069_Form Material_Report Qualification Results Summary Delta Qualification Matrix Qualification Results Summary
ADM2682EBRIZ	製造中
ADM2682EBRIZ-RL7	製造中
1 20, 2017 - 16_0290 ADM2682/ADM2687 Polyimide Change
		PCN16_0290_Form Material_Report Qualification Results Summary
ADM2682EBRIZ	製造中
ADM2682EBRIZ-RL7	製造中
9 22, 2015 - 15_0135 Alternate Assembly Site of Select Isolator Products in 8L/16L SOIC_N, 16L/20L SOIC_W and 16L/20L SOIC_IC at ASE Chungli
		PCN15_0135_Form Material_Report Detailed Change Description Qualification Results Summary
ADM2682EBRIZ	製造中
ADM2682EBRIZ-RL7	製造中
8 15, 2013 - 12_0157 ADM2481, ADM2582E, ADM2587E, ADM2682E, ADM2687E, ADM3052, ADM3053, ADM3054 Minor Poly Mask Change
		PCN12_0157_Form Material_Report
ADM2682EBRIZ	製造中
ADM2682EBRIZ-RL7	製造中
2 27, 2012 - 11_0066 Qualification of Alternate Fab Foundry Gold Plating Process Site for Isolation Products at ADI Limerick.
		PCN11_0066_Form Material_Report Qualification Plan Summary Flow Chart
ADM2682EBRIZ	製造中
ADM2682EBRIZ-RL7	製造中

ハードウェア・エコシステム

製品モデル	製品ライフサイクル	詳細
ADM2867E	新規設計に推奨	5.7kV実効値、信号／電源絶縁型RS-485トランシーバー、±15kV IEC ESD対応
ADM2865E	新規設計に推奨	5.7kV実効値、信号／電源絶縁型RS-485トランシーバー、±15kV IEC ESD対応

ツールおよびシミュレーション

IBISモデル 1

ADM2682E IBIS Model

評価用キット

ADM2682E Evaluation Board

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製品詳細

The ADM2682E/ADM2687E evaluation board can be used for easy evaluation of the ADM2682E and ADM2687E power and signal isolated RS-485 transceivers. The ADM2682E/ADM2687E evaluation board is designed to reduce emissions generated by the high frequency switching elements used by the isoPower^® technology to transfer power through its transformer. The layout of the evaluation board was generated using the guidelines provided in the AN-0971 Application Note, Recommendations for Control of Radiated Emissions with isoPower Devices.