製品概要

機能と利点

  • 正側の単電源(自己バイアス)
  • 高OIP2:0.6GHz~7.5GHzで52dBm(代表値)
  • 高ゲイン:0.6GHz~6GHzで15dB(代表値)
  • 高OIP3:32dBm(代表値)
  • 低ノイズ指数:0.4GHz~6GHzで3.5dB(代表値)
  • RoHS準拠、3mm × 3mm、16ピン、LFCSPパッケージ

製品概要

ADL8104は、ガリウム・ヒ素(GaAs)、モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)、擬似格子整合型高電子移動度トランジスタ(pHEMT)、低ノイズ、広帯域、高直線性アンプで、動作範囲は0.4GHz~7.5GHzです。

ADL8104は、0.6GHz~6GHzで15dBのゲイン、0.4GHz~6GHzで3.5dBのノイズ指数、0.6GHz~6GHz時の1dB圧縮ポイント(OP1dB)の出力電力20dBm、0.6GHz~6GHzで32dBmの出力3次インターセプト・ポイント(OIP3)(それぞれ代表値)を提供し、5Vドレイン電源電圧から要するのはわずか150mAです。低ノイズ・アンプは高出力2次インターセプト(OIP2)52dBm(0.6GHz~6GHzでの代表値)で、ADL8104は防衛および試験用計測器のアプリケーションに適しています。

ADL8104は、内部で50Ωに整合した入出力も備えています。RFINおよびRFOUTピンは内部でカップリングされ、バイアス・インダクタも内蔵されているADL8104は、表面実装技術(SMT)ベースの高密度のアプリケーションに最適です。

ADL8104はRoHS準拠の3mm × 3mm、16ピンLFCSPに収められています。

アプリケーション

  • 試験用計測器
  • 防衛用通信

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評価キット (1)

設計リソース

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