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よく聞かれる質問(FAQ)
特長
- ADGM1003:DC〜16GHz
- 挿入損失
- 6GHzで0.5dB(代表値)
- 16GHzで0.7dB(代表値)
- 最大RF電力:27dBm
- オン抵抗:3.4Ω(代表値)
- 最大DC電流:75 mA
- 作動寿命:1億サイクル(代表値)
- スイッチ・オン時間(tON):200µs(代表値)
- 3.3Vドライバを内蔵しているため並列制御およびSPI制御が簡素化
- 個別制御可能なスイッチ
- 省スペースの内蔵パッシブ・コンポーネント
- 小型、5.00mm × 4.00mm × 0.90mm、24ピンLGAパッケージ
- 温度範囲:–40°C~+85°C
ADGM1001/ADGM1002/ADGM1003は、アナログ・デバイセズの微小電気機械システム(MEMS)スイッチ技術を使用して製造された、広帯域、単極双投(SP2T)スイッチです。この技術により、フォーム・ファクタが小さく、広RF帯域幅で低挿入損失の、最低0Hz/dcの周波数で動作するスイッチを実現できるため、RF範囲の広い高精度機器におけるスイッチング・ニーズに理想的なソリューションとなっています。デバイスは24ピン、5.00mm × 4.00mm × 0.90mmのランドグリッド(LGA)パッケージを採用しています。
内蔵された制御チップでは、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)/低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック(LVTTL)互換のパラレル・インターフェースによって、スイッチを静電作動するのに必要な高電圧が生成されます。すべてのスイッチは独立して制御可能です。
多機能ピンの名称は、該当する機能のみで表示されることがあります。
モデル | 帯域幅 | 最大RF電力(dBm) | DC信号範囲(V) | 最大DC電流(mA) |
ADGM1001 | DC~34GHz | 33 | ±6 | 200 |
ADGM1002 | DC~20GHz | 30 | ±5 | 150 |
ADGM1003 | DC~16GHz | 27 | ±3 | 75 |
アプリケーション
- ATE負荷およびプローブ・ボード
- DCおよび高速ループ・バック・テスト
- リレーの代替
- 再構成可能なフィルタおよび減衰器
- 防衛用およびマイクロ波無線
- セルラ・インフラストラクチャ:5Gミリ波
- 各種デジタル規格に対応:PCIe Gen4/Gen5/Gen6、USB 3およびUSB 4、PAM 4
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よく聞かれる質問(FAQ)
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ADGM1003
資料
Filters
1つが該当
データシート
2
ユーザ・ガイド
1
利用上の注意
アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。
なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」(リビジョン0)で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」(Rev.G)と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
ドキュメント
Analog Dialogue 1
ビデオ
1
製品モデル | ピン/パッケージ図 | 資料 | CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル |
---|---|---|---|
ADGM1003BCCZ | 24-Terminal Land Grid Array [LGA] |
|
|
ADGM1003BCCZ-R2 | 24-Terminal Land Grid Array [LGA] |
|
|
ADGM1003BCCZ-RL7 | 24-Terminal Land Grid Array [LGA] |
|
- ADGM1003BCCZ
- ピン/パッケージ図
- 24-Terminal Land Grid Array [LGA]
- 資料
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
- Ultra Librarian
- SamacSys
- ADGM1003BCCZ-R2
- ピン/パッケージ図
- 24-Terminal Land Grid Array [LGA]
- 資料
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
- Ultra Librarian
- SamacSys
- ADGM1003BCCZ-RL7
- ピン/パッケージ図
- 24-Terminal Land Grid Array [LGA]
- 資料
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CADシンボル、フットプリント、および3Dモデル
- Ultra Librarian
- SamacSys
ソフトウェアおよび製品のエコシステム
製品モデル | 製品ライフサイクル | 詳細 | ||
---|---|---|---|---|
MEMS スイッチ2 |
||||
新規設計に推奨 |
0Hz/DC~14GHz、単極、4投ドライバ内蔵MEMSスイッチ |
|||
新規設計に推奨 |
MEMSスイッチ、単極4投、0 Hz/DC ~ 13 GHz、2.5kV HBM ESD耐性、ドライバ内蔵 |
|||
デバイス電源(DPS)およびATEパラメトリック測定ユニット(PMU)用1 |
||||
製造中 |
パラメータ測定ユニット、クワッド、レベル設定用16ビットDAC内蔵 |
|||
正電圧のリニア電圧レギュレータ(LDO)3 |
||||
新規設計に推奨 |
20V、500mA、超低ノイズ、 VIOC制御を備える超高PSRRリニア・レギュレータ |
|||
新規設計に推奨 |
300mA、低ノイズ、マイクロパワーLDOレギュレータ |
|||
新規設計に推奨 |
40V、200mA、低ノイズ、CMOS LDOリニア電圧レギュレータ |
評価用キット 1
EVAL-ADGM1001
0Hz/DC~34GHz、SPDTのMEMSスイッチADGM1001の評価
製品の詳細
ユーザ・ガイドでは、単極双投(SPDT)、微小電気機械システム(MEMS)スイッチおよび制御チップが5.00mm × 4.00mm × 0.90mmの小型LGAパッケージに収められたデュアル・チップのRFスイッチング・ソリューションであるADGM1001のための、EVAL-ADGM1001SDZ評価用ボードについて説明しています。
SPDTスイッチは、アナログ・デバイセズのMEMSスイッチ技術を使用しており、RFアプリケーションの帯域幅、電力処理能力、および直線性の点で最適なパフォーマンスを提供します。制御チップは、MEMSスイッチに必要な高電圧信号を生成し、ユーザはシンプルで柔軟な相補型金属酸化膜半導体(CMOS)/低電圧トランジスタ-トランジスタ・ロジック(LVTTL)準拠の並列インターフェースやシリアル・ペリフェラル・インターフェース(SPI)を介してその動作を制御できます。複数のADGM1001デバイスをデイジーチェーン接続して、最小限のデジタル回線数で複数のデバイスを構成できるようにすることができます。
SPIの場合、EVAL-ADGM1001SDZはSDPボードを介してPCのUSBポートに接続します。EVAL-SDP-CB1Zボード(SDP-Bコントローラーボード)は、アナログ・デバイセズのWebサイトwww.analog.com/SDP-Bから注文できます。
EVAL-ADGM1001SDZには、RF信号と制御信号用のコネクタ、およびスイッチの動作を制御してその性能を評価するためのリンクが付属しています。
ADGM1001の詳細については、ADGM1001データシートを参照してください。EVAL-ADGM1001SDZ評価ボードを使用する場合は、ユーザ・ガイドと併せて参照してください。