製品概要

機能と利点

  • GaN FET向けに全面的に最適化されたGaN駆動テクノロジ
  • 広いVIN範囲:4V~100V
  • 広い出力電圧範囲:0.8V ≤ VOUT ≤ 60V
  • キャッチ/クランプ/ブートストラップ・ダイオード不要
  • 内蔵のスマート・ブートストラップ・スイッチにより、ハイサイド・ドライバ用電源の過充電を防止
  • ほぼゼロになるよう内部で最適化されたスマート・デッド・タイム、または抵抗により調整可能なデッド・タイム
  • ゲート・ドライバの分割出力により、ドライバ強度設定のオン/オフが調整可能
  • 調整可能で正確なドライバ電圧とUVLO
  • 動作時の低IQ:5μA(48VIN~5VOUT
  • プログラマブルな周波数(100kHz~3MHz)
  • フェーズロック可能な周波数(100kHz~3MHz)
  • 周波数スペクトラム拡散変調
  • 28ピン(4mm × 5mm)サイド・ウェッタブルQFNパッケージ

製品概要

高性能の降圧DC/DCスイッチング・レギュレータ・コントローラLTC7891は、あらゆるNチャンネル同期窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)のパワー段を入力電圧から最大100Vまで駆動します。LTC7891により、GaN FET使用時に発生していた従来の課題の多くが解決されます。LTC7891を使用すると、シリコン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)ソリューションと比べてアプリケーション設計が簡素化すると同時に、保護ダイオードやその他の外付け部品の追加が不要になります。

内蔵のスマート・ブートストラップ・スイッチにより、デッド・タイム中にBOOSTピンからSWピンへのハイサイド・ドライバ電源への過充電を防止して、上側GaN FETのゲートを保護できます。LTC7891では、両方のスイッチング・エッジでゲート・ドライバのタイミングを内部で最適化しており、ほぼゼロのスマート・デッド・タイムを実現しています。そのため、効率が大幅に向上し、入力電圧が大きい場合でも高周波数動作が可能になります。または、外部抵抗を使用してデッド・タイムを調整し、マージンを確保したり、アプリケーションに適合させたりすることもできます。

性能の最適化や、様々なGaN FETまたはロジック・レベルのMOSFETの使用にあたって、LTC7891のゲート駆動電圧は4V~5.5Vの間で正確に調節できます。

このデータシートでは、PLLIN/SPREADというように多機能ピンについてはピン名全体を表記しますが、特定の機能のみが該当するような説明箇所では、PLLINというように1つのピン機能だけを表記しています。

アプリケーション

  • 産業用電源システム
  • 防衛アビオニクスおよび医療システム
  • 電気通信用電源システム

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

評価キット (1)

ツール

LTspice

LTspice®は、無料で提供される強力で高速な回路シミュレータと回路図入力、波形ビューワに改善を加え、アナログ回路のシミュレーションを容易にするためのモデルを搭載しています。

 

LTspice

下記製品はLTspiceで使用することが出来ます。:

LTC7891

設計リソース

アナログ・デバイセズでは、最高レベルの品質と信頼性を備えた製品を提供することに最大の力を常に注いでいます。これを実現するため、製品およびプロセスの設計のあらゆる観点で品質と信頼性のチェックを行っています。そして、それは、製造工程においても同様です。アナログ・デバイセズは常に、出荷製品の「ゼロ・ディフェクト」を目指しています。

サンプル&購入


サンプルは、外部のADI Sample Siteでのご注文となります。選択したパーツはSample Siteログイン後、カートに引き継がれます。Sample Siteを初めて使用する際は、アカウント登録をお願いいたします。Sample Siteに関するご質問は、SampleSupport@analog.com までお問合せください。

 

モデル一覧の項目説明

 

 

 

評価用ボード

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