製品概要

機能と利点

HMC8205BF10の機能
  • 高 PSAT: 46 dBm
  • 高パワー・ゲイン: 20 dB 
  • 高 PAE: 38% 
  • 瞬時帯域幅: 0.3 GHz ~ 6 GHz
  • 電源電圧: VDD = 50 V @ 1300 mA
  • 10 ピン LDCC パッケージ
HMC8205BCHIPSの機能
  • 高出力電力:PIN = 24 dBmで45.5dBm(代表値)
  • 高パワー・ゲイン:PIN = 24 dBmで22dB(代表値)
  • 高いPAE: PIN = 28 dBmで40%(代表値)
  • ダイ・サイズ:4.8 mm × 3.4 mm × 0.1 mm

製品概要

HMC8205BF10 は、0.3 GHz ~ 6 GHz の瞬時帯域幅において 38 % の電力付加効率(PAE)で 45.5 dBm(35 W)を実現する、窒化ガリウム(GaN)広帯域パワー・アンプです。フル・バンド動作の実現に外部マッチングは必要ありません。また、アンプにバイアスをかけるために外部インダクタは必要ありません。さらに、HMC8205BF10 には、RFIN および RFOUT ピン用の DC 阻止コンデンサが内蔵されています。

HMC8205BF10 は、防衛用電波妨害装置、ワイヤレス・インフラストラクチャ、レーダー、汎用アンプなどのパルス波または連続波(CW)アプリケーションに最適です。

HMC8205BF10 アンプは 10 ピン・セラミック・リード・チップ・キャリア(LDCC)を採用しています。

HMC8205BCHIPSは、窒化ガリウム(GaN)の広帯域幅パワー・アンプで、0.4GHz~6GHzの瞬時帯域幅にわたり、40%の電力付加効率(PAE)で45.5dBm(35W)を出力します。動作帯域全体で、外部マッチングは不要です。アンプをバイアスする外部インダクタも不要です。さらに、HMC8205BCHIPSには、RFINピンとRFOUTピン用のDC阻止コンデンサが内蔵されています。

HMC8205BCHIPSは、防衛用電波妨害装置、ワイヤレス・インフラストラクチャ、レーダー、汎用アンプなど、パルス波や連続波(CW)のアプリケーションに最適です。

アプリケーション

  • 防衛用電波妨害装置
  • 民生用および防衛用レーダー
  • ワイヤレス・インフラストラクチャのパワー・アンプ段 
  • 試験装置および計測装置

 

製品ライフサイクル icon-recommended 新規設計にお薦めします

発売済みの製品です。データシートには、最終的な仕様と動作条件がすべて記載されています。新規の設計には、これらの製品の使用を推奨します。

評価キット (1)

ツール

Sys-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

設計ツール

ADIsimRF

アナログ・デバイセズのADIsimRF設計ツールは、カスケード・ゲインやノイズ指数、IP3、P1dB、総合消費電力などRFシグナル・チェーン内の最も重要なパラメータの計算を行います。

設計リソース

ADI has always placed the highest emphasis on delivering products that meet the maximum levels of quality and reliability. We achieve this by incorporating quality and reliability checks in every scope of product and process design, and in the manufacturing process as well.  "Zero defects" for shipped products is always our goal.

PCN-PDN Information

ディスカッション

HMC8205 Discussions

RE: HMC980LP4E with HMC8205
18 週間前 RF and Microwave
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