HMC1114LP5DE

製造中止

10 W、GaN パワー・アンプ、2.7 GHz ～ 3.8 GHz

データシート (Rev. A) 製品セレクション・テーブル
利用上の注意

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なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.J）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ・デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。
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製品情報

  • 高飽和出力電力（PSAT）: 41.5 dBm（代表値）
  • 高い小信号ゲイン: 35 dB（代表値）
  • 飽和出力電力での高パワー・ゲイン: 25.5 dB（代表値）
  • 帯域幅: 2.7 GHz ～ 3.8 GHz
  • 高電力付加効率（PAE）: 54 %（代表値）
  • 高出力 IP3: 44 dBm（代表値）
  • 電源電圧: VDD = 28 V（150 mA）
  • 32 ピン、5 mm × 5 mm LFCSP_CAV パッケージ

HMC1114LP5DE は窒化ガリウム（GaN）の広帯域パワー・アンプで、2.7 GHz ～ 3.8 GHz の帯域にわたって 50 % 以上の電力付加効率（PAE）で 10 W を供給します。ゲイン平坦度は ±0.5 dB です。 

HMC1114LP5DE は、ワイヤレス・インフラストラクチャ、レーダー、公共モバイル無線、汎用増幅機器などのパルス波や連続波（CW）のアプリケーションに最適です。 

小型 LFCSP_CAV パッケージ収容です。 

アプリケーション
  • 公共モバイル無線の長時間バッテリ動作
  • ワイヤレス・インフラストラクチャのパワー・アンプ段
  • 試験装置および計測装置
  • 民生用および防衛用レーダー
  • 汎用トランスミッタ増幅機器
HMC1114LP5DE
10 W、GaN パワー・アンプ、2.7 GHz ～ 3.8 GHz
HMC1114 Functional Block Diagram HMC1114 Pin Configuration
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サポート

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ドキュメント

データシート 1

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ソフトウェア・リソース

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ハードウェア・エコシステム

製品モデル 製品ライフサイクル 詳細
HMC1114PM5E
10 W（42 dBm）超、2.7 GHz ～ 3.8 GHz、GaN パワー・アンプ
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ツールおよびシミュレーション

ADIsimRF

ADIsimRFは使いやすいRFシグナル・チェーン計算ツールです。最大50段までのシグナル・チェーンについて、カスケード・ゲイン、ノイズ、歪み、消費電力を計算し、プロット、エクスポートが可能です。ADIsimRFには、アナログ・デバイセズのRFおよびミックスド・シグナル部品のデバイス・モデルの広範なデータ・ベースも含まれています。

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Keysight Genesys向けのSys-Parameterモデル

Sys-Parameterモデルは、デバイスの直線性と非直線性を明らかにするP1dB、IP3、ゲイン、ノイズ指数、リターン損失などの挙動パラメータを提供します。

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Sパラメータ 1

評価用キット
EVAL-HMC1114
HMC1114 Evaluation Board
EV1HMC1114LP5D-Angle (1)-web EV1HMC1114LP5D-Angle (2)-web EV1HMC1114LP5D-Bottom-web EV1HMC1114LP5D-Top-web

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