HMC8413

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0.01GHz 至 9GHz 低噪声放大器

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概述

    HMC8413 特性
  • 低噪声指数：0.01GHz 到 7GHz 范围内为 1.9dB（典型值）
  • 单一正电源（自偏置）
  • 高增益：0.01GHz 到 7GHz 范围内为 19.5dB（典型值）
  • 高 OIP3：0.01GHz 到 7GHz 范围内为 35dBm（典型值）
  • 符合 RoHS 标准的 2mm × 2mm、 6 引脚 LFCSP 封装
    商业空间特性
  • 支持航空航天应用
  • 晶圆扩散批次具有可追溯性
  • 辐射基准
    • 总电离辐射剂量 (TID)：30krad
    • 线性能量转移小于或等于 62.4 MeV-cm2/mg 时不会发生单事件闭锁 (SEL)：

有关 HMC8413LP2FETR-CSL 的更多信息，请参阅相应的数据手册。

HMC8413 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作范围为 0.01GHz 至 9GHz。

HMC8413 在 0.01GHz 至 7GHz 范围内提供 19.5dB 的典型增益、1.9dB 的典型噪声指数和 35dBm 的典型输出三阶截距 (OIP3)，仅需要 5V 电源电压提供 95mA 的电流。在 0.01GHz 至 7GHz 范围内，22dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器用作 ADI 公司众多平衡式同相/正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。

HMC8413 还具有可在内部匹配至 50Ω 的输入和输出，非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波射频应用。

HMC8413 采用符合 RoHS 指令的 2mm × 2mm 6 引脚 LFCSP 封装。

应用

  • 测试仪器仪表
  • 军事通信
  • 军用雷达
  • 电信
HMC8413
0.01GHz 至 9GHz 低噪声放大器
HMC8413 Functional Block Diagram HMC8413 Pin Configuration HMC8413-CSL Functional Block Diagram HMC8413-CSL Pin Configuration
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数据手册 2

用户手册 1

应用笔记 2

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特性和优点

  • 4 层、Rogers 4350B 和 Isola 370HR 评估板。
  • 端接型 3.5 mm RF 连接器
  • 直通校准路径（未填充）

产品详情

EV1HMC8412LP2F 由采用 10 mil 厚的 Rogers 4350B 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印刷电路板 (PCB) 组成，形成 62 mil 的标称厚度。EV1HMC8413LP2F 上的 RFIN 和 RFOUT 端口由 3.5 mm 母头同轴连接器填充，其各自的射频迹线都有 50 Ω 特性阻抗。EV1HMC8413LP2F 填充了适合在 HMC8413 的 −40°C 至 +85°C 工作温度范围内使用的元件。为校准板的回溯损耗，J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须填充 RF 连接器才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能，请参阅表 1 和图 3。

通过表面贴装技术 (SMT) 测试点连接器 GND 和 VDD，访问 EV1HMC8412LP2F 的接地路径和 RFOUT/VDD 引脚。随附用于 VBIAS 的补充测试点，可轻松访问 RBIAS 引脚（测试点组件见用户手册测试点小节的图 5）。
EV1HMC8413LP2F 上的 RF 迹线为 50 Ω 接地共面波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面，并特别关注接地焊盘正下方的区域，以便为散热器提供充分的导电性和导热性。

EV1HMC8413LP2F 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。可能可减少电容器数量，但因系统而异。在减少电容器数量时，建议先移除或合并离 HMC8413 最远的最大的电容器。

有关 HMC8413 的完整详细信息，请参阅 HMC8413 数据手册，在使用 EV1HMC8413LP2F.-EVALZ 时，必须同时参阅该数据手册和本用户指南。
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