HMC8402-DIE
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HMC8402-DIE

2 GHz至30 GHz，GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

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特性
  • 针对1 dB压缩(P1dB)的输出功率：21.5 dBm（典型值）
  • 饱和输出功率(PSAT)：22 dBm（典型值）
  • 增益：13.5 dB（典型值）
  • 噪声系数：2 dB
  • 输出三阶交调截点(IP3)：26 dBm（典型值）
  • 电源电压：7 V (68 mA)
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 裸片尺寸：2.7 mm × 1.35 mm × 0.05 mm
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HMC8402是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器，工作频率范围为2 GHz至30 GHz。该放大器提供13.5 dB增益、2 dB噪声系数、26 dBm输出IP3和21.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩），同时功耗为68 mA（采用7 V电源时）。HMC8402仅采用单正电源供电时具有自偏置以实现68 mA的漏极电流IDQ。

HMC8402放大器输入/输出内部匹配50 Ω，可方便地集成至多芯片模块(MCM)。所有数据均由通过最短0.31 mm (12 mils)的两条0.025 mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。

应用

  • 测试仪器仪表
  • 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
  • 军事与航天
  • 电信基础设施
  • 光纤产品
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HMC8402-DIE

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更新 07/28/2016
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HMC8402: 2 GHz to 30 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier Data Sheet (Rev.E)

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更新 05/13/2020
英文
AN-1363: Meeting Biasing Requirements of Externally Biased RF/Microwave Amplifiers with Active Bias Controllers redirect icon

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更新 05/13/2020
中文
利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 redirect icon

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更新 08/01/2019
英文
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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更新 08/01/2019
中文
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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更新 08/01/2019
日文
AN-1604: LFCSP パッケージおよびフランジ・パッケージに収容された RF アンプの温度管理計算 redirect icon

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HMC8402 CHIPS OR DIE
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