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HMC8325: 71 GHz to 86 GHz, E-Band Low Noise Amplifier Data Sheet (Rev. 0)4/14/2017PDF302 K
概览
优势和特点
- 增益：21 dB（典型值）
- 噪声系数：3.6 dB（典型值）
- 针对1 dB压缩的输出功率：13 dBm（典型值）
- 最大增益时的输入三阶交调截点：1 dBm（典型值）
- 最大增益时的输出三阶交调截点：22 dBm（典型值）
- 饱和输出功率：17 dBm（典型值）
- 输入回波损耗：15 dB（典型值）
- 输出回波损耗：17 dB（典型值）
- 裸片尺寸：2.844 mm × 0.999 mm × 0.05 mm
产品详情
HMC8325是一款集成E频段的砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器(LNA)芯片，工作频率范围为71 GHz至86 GHz。HMC8325提供22 dB增益、13 dBm输出P1dB、22 dBm OIP3和17 dBm PSAT，采用3 V电源供电时功耗仅为50 mA。HMC8325提供出色的线性度并针对E频段通信和高容量无线回程无线电系统进行优化。所有数据均利用50 Ω测试夹具中的芯片获取，通过各端口上宽度为3 mil、厚度为0.5 mil、长度为7 mil的焊线连接。
应用
- E频段通信系统
- 高容量无线回程
- 测试与测量
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
参考资料
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AN-1604：采用LFCSP和法兰封装的RF放大器的热管理计算（修订版0）8/9/2019PDF247 K
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RF、微波和毫米波IC选型指南7/13/2018PDF3 M
工具及仿真模型
设计工具
ADIsimRF
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| HMC8325 | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| HMC8325-SX | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| Wafer Fabrication Data |
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