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S参数
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概览

优势和特点

  • 无源宽带I/Q混频器
  • RF和LO范围：6 GHz至26.5 GHz
  • 宽IF带宽：DC至5 GHz
  • 单端RF、LO和IF
  • 转换损耗：9 dB（典型值）
  • 镜像抑制：25 dBc（典型值）
  • 单边带噪声指数：9 dB（典型值）
  • 输入IP3（下变频器）：24 dBm（典型值）
  • 输入P1dB压缩点（下变频器）：15 dBm（典型值）
  • 输入IP2：55 dBm（典型值）
  • LO至RF隔离：40 dB（典型值）
  • LO至IF隔离：40 dB（典型值）
  • RF至IF隔离：20 dB（典型值）
  • 幅度平衡：±0.5 dB（典型值）
  • 相位平衡（下变频器）：±5°（典型值）
  • RF回波损耗：15 dB（典型值）
  • LO回波损耗：15 dB（典型值）
  • IF回波损耗：15 dB（典型值）
  • 裸露焊盘、4 mm × 4 mm、24引脚陶瓷LCC 封装

产品详情

HMC8191是一款无源、宽带I/Q单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射频(RF)和本振(LO)范围以及DC至5 GHz的中频(IF)带宽，非常适合需要宽频率范围、出色RF性能、简单设计以及更少元件和小尺寸印刷电路板(PCB)的应用。单个HMC8191可取代设计中的多个窄带混频器。

HMC8191的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力，因此无需进行成本高昂的干扰边带滤波。该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能，并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。

作为一款无源混频器，HMC8191无需任何直流电源。相比有源混频器，它提供较低的噪声指数，从而确保针对高性能和精密应用具有出色的动态范围。

HMC8191采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，使用ADI公司的混频器单元和90度混合器件。HMC8191提供紧凑型、4 mm × 4 mm、24引脚无铅芯片载体(LCC)封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。HMC8191评估板还可通过ADI网站获得。

应用

  • 测试与测量仪器仪表
  • 军事、航空航天和防务应用
  • 微波点对点基站

产品分类

领域

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产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (1)

参考资料

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  • 产品选型手册 (1)
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  • 技术文章 (1)
  • 在线研讨会 (1)
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    工具及仿真模型

    S参数

    设计工具

    ADIsimRF

    ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。

    设计资源

    ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

    Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
    HMC8191 材料声明 质量和可靠性 CHIPS OR DIE
    HMC8191-SX 材料声明 质量和可靠性 CHIPS OR DIE
    HMC8191LC4 材料声明 质量和可靠性 24-Lead LCC (4 x 4mm)
    HMC8191LC4TR 材料声明 质量和可靠性 24-Lead LCC (4 x 4mm)
    HMC8191LC4TR-R5 材料声明 质量和可靠性 24-Lead LCC (4 x 4mm)
    Wafer Fabrication Data

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