HMC8191
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HMC8191

6 GHz至26.5 GHz、宽带I/Q混频器

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产品详情
特性
  • 无源宽带I/Q混频器
  • RF和LO范围:6 GHz至26.5 GHz
  • 宽IF带宽:DC至5 GHz
  • 单端RF、LO和IF
  • 转换损耗:9 dB(典型值)
  • 镜像抑制:25 dBc(典型值)
  • 单边带噪声指数:9 dB(典型值)
  • 输入IP3(下变频器):24 dBm(典型值)
  • 输入P1dB压缩点(下变频器):15 dBm(典型值)
  • 输入IP2:55 dBm(典型值)
  • LO至RF隔离:40 dB(典型值)
  • LO至IF隔离:40 dB(典型值)
  • RF至IF隔离:20 dB(典型值)
  • 幅度平衡:±0.5 dB(典型值)
  • 相位平衡(下变频器):±5°(典型值)
  • RF回波损耗:15 dB(典型值)
  • LO回波损耗:15 dB(典型值)
  • IF回波损耗:15 dB(典型值)
  • 裸露焊盘、4 mm × 4 mm、24引脚陶瓷LCC 封装
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HMC8191是一款无源、宽带I/Q单芯片微波集成电路(MMIC)混频器,可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射频(RF)和本振(LO)范围以及DC至5 GHz的中频(IF)带宽,非常适合需要宽频率范围、出色RF性能、简单设计以及更少元件和小尺寸印刷电路板(PCB)的应用。单个HMC8191可取代设计中的多个窄带混频器。

HMC8191的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力,因此无需进行成本高昂的干扰边带滤波。该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能,并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。

作为一款无源混频器,HMC8191无需任何直流电源。相比有源混频器,它提供较低的噪声指数,从而确保针对高性能和精密应用具有出色的动态范围。

HMC8191采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,使用ADI公司的混频器单元和90度混合器件。HMC8191提供紧凑型、4 mm × 4 mm、24引脚无铅芯片载体(LCC)封装,工作温度范围为−40°C至+85°C。HMC8191评估板还可通过ADI网站获得。

应用

  • 测试与测量仪器仪表
  • 军事、航空航天和防务应用
  • 微波点对点基站

产品技术资料帮助

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