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HMC8191

6 GHz至26.5 GHz、宽带I/Q混频器

Viewing:

概述

无源宽带I/Q混频器
RF和LO范围：6 GHz至26.5 GHz
宽IF带宽：DC至5 GHz
单端RF、LO和IF
转换损耗：9 dB（典型值）
镜像抑制：25 dBc（典型值）
单边带噪声指数：9 dB（典型值）
输入IP3（下变频器）：24 dBm（典型值）
输入P1dB压缩点（下变频器）：15 dBm（典型值）
输入IP2：55 dBm（典型值）
LO至RF隔离：40 dB（典型值）
LO至IF隔离：40 dB（典型值）
RF至IF隔离：20 dB（典型值）
幅度平衡：±0.5 dB（典型值）
相位平衡（下变频器）：±5°（典型值）
RF回波损耗：15 dB（典型值）
LO回波损耗：15 dB（典型值）
IF回波损耗：15 dB（典型值）
裸露焊盘、4 mm × 4 mm、24引脚陶瓷LCC 封装

HMC8191是一款无源、宽带I/Q单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，可用作接收器镜像抑制混频器或发射器单边带上变频器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射频(RF)和本振(LO)范围以及DC至5 GHz的中频(IF)带宽，非常适合需要宽频率范围、出色RF性能、简单设计以及更少元件和小尺寸印刷电路板(PCB)的应用。单个HMC8191可取代设计中的多个窄带混频器。

HMC8191的固有I/Q架构具有出色的镜像抑制能力，因此无需进行成本高昂的干扰边带滤波。该混频器还提供出色的LO至RF和LO至IF隔离性能，并降低了LO泄漏的影响以确保信号完整性。

作为一款无源混频器，HMC8191无需任何直流电源。相比有源混频器，它提供较低的噪声指数，从而确保针对高性能和精密应用具有出色的动态范围。

HMC8191采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，使用ADI公司的混频器单元和90度混合器件。HMC8191提供紧凑型、4 mm × 4 mm、24引脚无铅芯片载体(LCC)封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。HMC8191评估板还可通过ADI网站获得。

应用