HMC815B
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HMC815B

GaAs MMIC I/Q上变频器,21 - 27 GHz

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产品详情
特性
  • 转换增益:12 dB(典型值)
  • 边带抑制:20 dBc(典型值)
  • OP1dB压缩:20 dBm(典型值)
  • OIP3:27 dBm(典型值)
  • 2× LO至RF隔离:10 dB(典型值)
  • 2× LO至IF隔离:15 dB(典型值)
  • RF回波损耗:12 dB(典型值)
  • LO回波损耗:15 dB(典型值)
  • IF回波损耗:15 dB(典型值)
  • 裸露焊盘、4.90 mm × 4.90 mm、32引脚、陶瓷LCC封装


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HMC815B是一款紧凑的砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)上变频器,采用符合RoHS标准的封装,工作频率范围为21 GHz至27 GHz。该器件提供12 dB的小信号转换增益和20 dBc的边带抑制性能。HMC815B采用驱动放大器工作,前接由有源2×乘法器驱动LO的同相正交(I/Q)混频器。还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。

HMC815B为混合型单边带(SSB)下变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造技术。

HMC815B提供4.90 mm × 4.90 mm、32引脚LCC陶瓷封装,工作温度范围为−40°C至+85°C。如有需要,还可提供HMC815B评估板。

应用

  • 点到点及点到多点无线电
  • 军用雷达、电子战和电子情报
  • 卫星通信
  • 传感器

产品技术资料帮助

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参考资料

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产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号,脚注和 3D模型
HMC815BLC5
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