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HMC815B
推荐新设计使用GaAs MMIC I/Q上变频器，21 - 27 GHz
- 产品模型
- 3
产品详情
- 转换增益：12 dB（典型值）
- 边带抑制：20 dBc（典型值）
- OP1dB压缩：20 dBm（典型值）
- OIP3：27 dBm（典型值）
- 2× LO至RF隔离：10 dB（典型值）
- 2× LO至IF隔离：15 dB（典型值）
- RF回波损耗：12 dB（典型值）
- LO回波损耗：15 dB（典型值）
- IF回波损耗：15 dB（典型值）
- 裸露焊盘、4.90 mm × 4.90 mm、32引脚、陶瓷LCC封装
HMC815B是一款紧凑的砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)上变频器，采用符合RoHS标准的封装，工作频率范围为21 GHz至27 GHz。该器件提供12 dB的小信号转换增益和20 dBc的边带抑制性能。HMC815B采用驱动放大器工作，前接由有源2×乘法器驱动LO的同相正交(I/Q)混频器。还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。
HMC815B为混合型单边带(SSB)下变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。
HMC815B提供4.90 mm × 4.90 mm、32引脚LCC陶瓷封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。如有需要，还可提供HMC815B评估板。
应用
- 点到点及点到多点无线电
- 军用雷达、电子战和电子情报
- 卫星通信
- 传感器
参考资料
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC815BLC5 | 32-Lead LCC (4.9mm x 4.9mm) | ||
| HMC815BLC5TR | 32-Lead LCC (4.9mm x 4.9mm) | ||
| HMC815BLC5TR-R5 | 32-Lead LCC (4.9mm x 4.9mm) |
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