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HMC814 Die Data Sheet10/20/2015
概览
优势和特点
- 高输出功率： +17 dBm
- 低输入功耗驱动： 0至+6 dBm
- Fo隔离： >20 dBc（Fout = 19 GHz时）
- 100 kHz SSB相位噪声： -136 dBc/Hz
- 单电源： +5V (88mA)
- 裸片尺寸： 1.2 x 1.23 x 0.1 mm
产品详情
HMC814是一款采用GaAs pHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+4 dBm信号驱动时，该倍频器在13至24.6 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在19 GHz频率下，Fo、3Fo和4Fo隔离大于20 dBc。 HMC814适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-136 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 数据均由通过最短0.31 mm (12 mil)的两条0.025mm (1 mil)线焊连接的芯片获取。
应用
- 时钟生成应用：
SONET OC-192和SDH STM-64 - 点对点和VSAT无线电
- 测试仪器仪表
- 军用最终用途
- 传感器
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
参考资料
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| HMC814 | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| HMC814-SX | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| Wafer Fabrication Data |
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