HMC787A

推荐用于新设计

GaAs MMIC基波混频器，3 - 11 GHz

数据手册 (Rev. C) 产品选型表

产品模型: 5

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概述

HMC787ALC3B

转换损耗：9 dB（典型值，3 GHz至9 GHz时）

本振(LO)至射频(IF)隔离：43 dB（典型值，3 GHz至9 GHz时）

RF至中频(IF)隔离：26 dB（典型值，3 GHz至9 GHz时）

输入三阶交调截点(IP3)：24 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz时）

输入1 dB压缩点(P1dB)：17 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz时）

输出二阶交调截点(IP2)：67 dBm（典型值，3 GHz至9 GHz时）

无源双平衡拓扑结构

宽IF频率范围：DC至4 GHz

12引脚、陶瓷、无铅芯片载体(LCC)封装

HMC787AG（芯片）
下变频器

变频损耗
- 8 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 10 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
LO至IF隔离
- 44 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 42 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
RF至IF隔离
- 21 dB（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 32 dB（典型值，7 GHz至10 GHz）
输入IP3
- 22 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 28 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
输入P1dB
- 15 dBm（典型值，3 GHz至7 GHz）
- 17 dBm（典型值，7 GHz至10 GHz）
无源双平衡拓扑结构
宽IF频率范围：DC至4 GHz
6焊盘、裸片[芯片]

HMC787ALC3B

HMC787A是一款通用型双平衡混频器，采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装，可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。HMC787A通过优化的巴伦结构提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)隔离性能，采用17 dBm的LO驱动电平工作。陶瓷LCC封装无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。

HMC787AG（芯片）

HMC787AG是一款通用型双平衡混频器，可用作3 GHz至10 GHz频率范围的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。

HMC787AG通过优化的巴伦结构提供高本振(LO)至RF及LO至中频(IF)隔离性能，采用13 dBm至21 dBm的LO驱动电平工作。

应用

微波无线电
工业、科研和医疗(ISM)频段和超宽频段(UWB)无线电
测试设备和传感器
军用最终用途

产品模型: 5

参考资料

数据手册 2

HMC787AG CHIP Data Sheet (Rev.0) 03/15/2021

HMC787A: GaAs, MMIC, Fundamental Mixer, 3 GHz to 10 GHz Data Sheet (Rev.C) 08/24/2015

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC787AG	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data 资料包	Ultra Librarian SamacSys
HMC787AG-SX	CHIPS OR DIE	Material Declaration Reliablity Data 资料包	Ultra Librarian SamacSys
HMC787ALC3B	12-Lead LCC (2.9mm x 2.9mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data 资料包	Ultra Librarian SamacSys
HMC787ALC3BTR	12-Lead LCC (2.9mm x 2.9mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data 资料包	Ultra Librarian SamacSys
HMC787ALC3BTR-R5	12-Lead LCC (2.9mm x 2.9mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data 资料包	Ultra Librarian SamacSys