HMC774A-Die
量产
GaAs MMIC基波混频器，7 - 43 GHz
- 产品模型
- 2
概述
- 下变频器
- 变频损耗
- 10.5 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
- 11 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
- LO至RF隔离
- 34 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
- 32 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
- LO至IF隔离
- 32 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
- 50 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
- LO至IF隔离
- 14 dB（典型值，7 GHz至22 GHz）
- 29 dB（典型值，22 GHz至40 GHz）
- 变频损耗
- IP3：20 dBm（典型值）
- IP2：40 dBm（典型值）
- 针对P1dB的输入功率
- 11 dBm（典型值，7 GHz至22 GHz）
- 12 dBm（典型值，22 GHz至40 GHz）
- IF频率范围：DC至10
- 无源，无需直流偏置
- 小尺寸：1.38 mm × 0.81 mm × 0.102 mm
HMC774A是一款通用型砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、双平衡混频器芯片，可用作7 GHz至40 GHz频率范围内的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。
HMC774A采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)抑制性能。该混频器采用13 dBm的LO驱动电平工作，具备出色的性能。HMC774A还可作为表贴技术形式的HMC774ALC3B提供。
应用
- 点对点无线电
- 点对多点无线电和甚小孔径终端(VSAT)
- 测试设备和传感器
- 军用最终用途
参考资料
产品选型指南 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| HMC774A | DIE | ||
| HMC774A-SX | DIE |
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