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英文数据手册
(产品技术资料帮助）

概览

优势和特点

  • 高输入P0.1dB： +46 dBm Tx
  • 低插入损耗： 0.4 dB
  • 高IIP3： +74 dBm
  • 单正控制电压：
    0/ +3V to 0/ +8V
  • 故障安全操作：
    未上电时Tx为“开启”
  • 2x2mm DFN SMT封装

产品详情

HMC646LP2(E)是一款SPDT开关，采用无引脚DFN表贴塑料封装，可用于发射/接收和LNA保护等要求极低失真和高达40 W、占空比低于10%的高功率应用。 这款鲁棒的开关可控制100 - 2100 MHz*的信号，非常适合TD-SCDMA/3G中继器、PMR、汽车远程信息处理和卫星用户终端应用。 该设计可在发射(Tx)端口提供出色的+46 dBm P0.1 dB和+74 dBm IIP3性能。 当DC电源不可用时，故障安全拓扑提供Tx到RFC的低损耗路径。

规格和数据为HMC646LP2针对数据手册中的每个指定频段使用对应的应用电路进行测量所得。

应用

  • LNA保护与T/R开关
  • TD-SCDMA/3G基础设施
  • 卫星用户终端
  • 专用手机无线电与公用安全手机
  • 汽车远程信息系统

 


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    ADIsimRF

    ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。

    设计资源

    ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

    Part Number Material Declaration Reliability Data Pin/Package Drawing CAD Symbols, Footprints & 3D Models
    HMC646LP2E 材料声明 质量和可靠性 6-Lead QFN (2mm x 2mm w/ EP)
    HMC646LP2ETR 材料声明 质量和可靠性 6-Lead QFN (2mm x 2mm w/ EP)
    Wafer Fabrication Data

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