Quantic X-Microwave

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HMC637BPM5E

推荐用于新设计

GaAs、pHEMT、MMIC、单正电源、DC至6 GHz、1 W功率放大器

数据手册 (Rev. A) 产品选型表
产品技术资料帮助

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概述

  • P1dB输出功率：27.5 dBm（典型值）
  • 增益：15 dB（典型值）
  • 输出IP3：40 dBm（典型值）
  • 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（针对IDQ调整）和VGG2（针对增益控制）具有可选偏置控制
  • 50 Ω匹配输入/输出
  • 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装：25 mm2

HMC637BPM5E是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、级联分布式功率放大器，在正常工作时可实现自偏置且具有IDQ可选偏置控制和增益调整。该放大器的工作频率范围为DC至6 GHz，提供15 dB小信号增益、27.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩）、40 dBm典型输出IP3和4 dB噪声指数，采用VDD 12 V电源电压时功耗为335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz范围内的增益平坦度（典型值±0.5 dB时）非常出色，因而极为适合军事、太空和测试设备应用。HMC637BPM5E还具有内部匹配至50 Ω的输入/输出(I/O)，采用符合RoHS标准的5 mm × 5 mm LFCSP预制空腔封装，可与高容量表贴技术(SMT)装配设备兼容。

应用

  • 军事与太空
  • 测试仪器仪表

HMC637BPM5E
GaAs、pHEMT、MMIC、单正电源、DC至6 GHz、1 W功率放大器
HMC637BPM5E Functional Block Diagram HMC637BPM5E Pin Configuration
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S-参数 1

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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EVAL-HMC637BPM5E
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