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HMC576 Die Data Sheet10/20/2015
概览
优势和特点
- 高输出功率： +17 dBm
- 低输入功耗驱动： -2至+6 dBm
- Fo隔离： >20 dBc（Fout = 24 GHz时）
- 100 kHz SSB相位噪声： -132 dBc/Hz
- 单电源： +5V (82 mA)
- 裸片尺寸： 1.18 x 1.23 x 0.1 mm m
产品详情
THMC576是一款采用GaAs PHEMT技术的x2有源宽带倍频器芯片。 由+3 dBm信号驱动时，该倍频器在18至29 GHz范围内提供+17 dBm的典型输出功率。 在24 GHz频率下，Fo和3Fo隔离分别大于20 dBc和30 dBc。 HMC576非常适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-132 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。
应用
- 时钟生成应用：
SONET OC-192和SDH STM-64 - 点对点和VSAT无线电
- 测试仪器仪表
- 军事电子战/雷达
- 太空
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
参考资料
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| HMC576 | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| HMC576-SX | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| Wafer Fabrication Data |
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