HMC455
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HMC455

½瓦特高IP3放大器，采用SMT封装，1.7 - 2.5 GHz

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特性
  • 输出IP3： +42 dBm
  • 增益： 13 dB
  • PAE为56%（Pout为+28 dBm时）
  • +19 dBm的W-CDMA通道功率（ACP为-45 dBc时）
  • 3x3 mm QFN SMT封装
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HMC455LP3(E)是一款高输出的IP3 GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1⁄2瓦特MMIC放大器，在1.7至2.5 GHz的频率下工作。 该放大器仅使用最小数量的外部元件，提供13 dB的增益，在PAE为56%时提供+28 dBm的饱和功率，使用单个+5 Vdc电压电源。 由于具有+42 dBm的高输出IP3，再结合1.4:1的低VSWR，因此HMC455LP3(E)成为适合PCS/3G无线基础设施的理想驱动放大器。 这款线性放大器采用低成本的无引脚3x3 mm QFN表面贴装封装(LP3)。 LP3提供裸露基极以实现出色的RF和散热性能。

应用

  • 多载波系统
  • GSM、GPRS和EDGE
  • CDMA和WCDMA
  • PHS

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HMC455

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更新 05/13/2020
英文
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更新 05/13/2020
中文
利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 redirect icon

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更新 08/01/2019
英文
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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更新 08/01/2019
中文
AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages redirect icon

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更新 08/01/2019
日文
AN-1604: LFCSP パッケージおよびフランジ・パッケージに収容された RF アンプの温度管理計算 redirect icon

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产品型号 引脚/封装图-中文版 文档 CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC455LP3E 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) external-link
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HMC455LP3ETR 16-Lead QFN (3mm x 3mm w/ EP) external-link
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