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HMC448 Die Data Sheet4/20/2015
概览
优势和特点
- 输出功率： +11 dBm
- 宽输入功率范围： -4至+6 dBm
- Fo，3Fo隔离： >20 dBc（Fout = 20 GHz时）
- 100 KHz SSB相位噪声： -135 dBc/Hz
- 单电源： 5V (48 mA)
- 裸片尺寸： 1.16 x 1.20 x 0.1 mm
产品详情
HMC448是一款采用GaAs PHEMT技术制造而成的x2有源宽带倍频器芯片。 由0 dBm信号驱动时，该倍频器在19至25 GHz范围内提供+11 dBm的典型输出功率。 在最高22 GHz的频率下，Fo和3Fo隔离大于22 dBc。 这款多速率倍频器可用于为40 Gbps系统生成半速率时钟，或者作为倍频链的一部分，生成全速率40 Gbps时钟。
HMC448适合在点对点和VSAT无线电的LO倍频链中使用，与传统方法相比，可以减少器件数量。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-135 dBc/Hz，有助于保持良好的系统噪声性能。 数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片测得，该夹具通过尺寸为0.076 x 0.0127mm (3mil x 0.5mil)、最小长度小于0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。
应用
- 时钟生成应用： SONET OC-192和SDH STM-64
- 点对点和VSAT无线电
- 测试仪器仪表
- 军事和太空
产品生命周期
量产
该产品系列中至少有一个型号已量产并可供采购。该产品适合用于新设计，但也可能有更新的替代产品。
参考资料
设计资源
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| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| HMC448 | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| HMC448-SX | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
| Wafer Fabrication Data |
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