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概览
优势和特点
- 高隔离度：
62 dB（1 GHz时）
52 dB（2 GHz时） - 正控制： 0/+5V
- 输入IP3： 54 dBm
- 非反射式设计
- 超小型MSOP-86封装：
- 14.8 mm2
产品详情
HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关，采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装，带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/3G和WiMAX/4G应用，实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+50 dBm的输入IP3。 在3.8 GHz WiMAX频段，该开关具有很高的功率处理能力，另外提供+30 dBm的P1dB压缩性能。 片内电路可在很低的DC电流下实现0/+5伏特的正电压控制。
应用
- 基站和中继器
- 蜂窝/3G和WiMAX/4G
- 基础设施和接入点
- CATV/CMTS
- 测试仪器仪表
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
参考资料
工具及仿真模型
S参数
ZIP
HMC435A S-Parameters
197.82 K
设计工具
ADIsimRF
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| HMC435AMS8GE | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead MSOP w/ EP | |
| HMC435AMS8GETR | 材料声明 | 质量和可靠性 | 8-Lead MSOP w/ EP | |
| Wafer Fabrication Data |
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