替代器件

  • HMC540S
    HMC540S

    Functional alternative in Silicon (SOI)

  • HMC1122
    HMC1122

    Functional alternative in Silicon (SOI)

概览

优势和特点

  • 0.5 dB LSB步进至31.5 dB
  • 每位单个控制线路
  • 误码率:± 0.5 dB(典型值)
  • +5V单电源
  • 3×3 mm SMT封装

产品详情

HMC425ALP3E均为宽带6位GaAs IC数字衰减器,采用低成本无引脚表贴封装。工作频率范围2.2 GHz到8.0 GHz,插入损耗低于4.5 dB典型值。衰减器位值为0.5 (LSB)、1、2、4、8和16 dB,总衰减为31.5 dB。衰减精度非常高,典型步长误差为± 0.5 dB,IIP3为+40 dBm。六个控制电压输入,在0和+3至+5V之间切换,用于选择每个衰减状态。需要+3至+5V的VDD单偏置。

应用

  • WLAN和点对多点
  • 光纤和宽带通信
  • 微波无线电和VSAT
  • 军用

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (1)

工具及仿真模型

S参数

设计工具

ADIsimRF

ADI公司的ADIsimRF设计工具可以计算RF信号链内的大部分重要参数,包括级联增益、噪声系数、IP3、P1dB和总功耗。

设计资源

ADI始终把满足您最高可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

讨论

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