Quantic X-Microwave

ADI公司的RF和微波器件现已作为X-Microwave的X-MWblock®插入式评估模块提供。

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HMC349ALP4CE

量产

高度隔离的非反射式 100 MHz 至 4 GHz GaAs SPDT 开关

产品技术资料帮助

ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许,也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。

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概述

  • 非反射 50 Ω 设计
  • 高隔离:2 GHz 时为 62 dB
  • 低插入损耗:2 GHz 时为 1.0 dB
  • 高输入线性度
    • 1 dB 功率压缩 (P1dB):34 dBm(典型值)
    • 3 阶交调点 (IP3):53 dBm(典型值)
  • 高功率处理能力
    • 33.5 dBm 直通路径,VDD = 5 V
    • 26.5 dBm 终止路径
  • 单一正电源:3 V 至 5 V
  • CMOS/TTL 兼容控制
  • 全关闭状态控制
  • 16 引脚 4 mm × 4 mm LFCSP
  • 引脚与 HMC8038 兼容

HMC349ALP4CE 是一款工作频率范围为 100 MHz 至 4 GHz 的砷化镓 (GaAs) 单刀双掷 (SPDT) 开关。

HMC349ALP4CE 具有隔离度高 (62 dB)、插入损耗低 (1.0 dB)、输入 IP3 高 (53 dBm) 和输入 P1dB 高 (34 dBm) 等特性,因此适用于无线基础设施应用。

HMC349ALP4CE 使用电压为 3 V 至 5 V 的单一正电源工作,并且提供一个与 CMOS/TTL 兼容的控制接口。

HMC349ALP4CE 采用符合 RoHS 指令的 16 引脚 4 mm × 4 mm 引线框芯片尺寸级封装 (LFCSP)。

应用

  • 无线基础设施
  • 移动无线电
  • 测试设备

HMC349ALP4CE
高度隔离的非反射式 100 MHz 至 4 GHz GaAs SPDT 开关
HMC349ALP4CE Functional Block Diagram HMC349ALP4CE Pin Configuration
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HMC8038 推荐用于新设计 高隔离度、硅SPDT、非反射开关,0.1 GHz至6.0 GHz
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