HMC329

过期

HMC329 / HMC329LC3B / HMC329LM3

HMC329： GaAs单芯片微波集成电路(MMIC)双平衡混频器芯片，25 GHz至40 GHz

HMC329LC3B： GaAs MMIC基波混频器，采用表面贴装技术(SMT)，24 GHz至32 GHz

HMC329LM3： GaAs MMIC双平衡混频器，采用SMT封装，26 GHz至40 GHz


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概述

  • 无源： 无需直流偏置
  • 输入IP3
    HMC329: 19 dBm
    HMC329LC3B: 18 dBm
    HMC329LM3: 19 dBm
  • 本振(LO)至射频(RF)隔离
    HMC329: 42 dB
    HMC329LC3B: 38 dBm
    HMC329LM3: 35 dBm
  • 小尺寸(HMC329)： 0.85 mm × 0.55 mm × 0.1 mm
  • 宽中频(IF)带宽(HMC329LC3B)： DC至8 GHz
  • 稳定的500 V静电放电(ESD)，1B类(HMC329LC3B)
  • 12引脚陶瓷3 mm × 3 mm SMT封装(HMC329LC3B)： 9 mm2
  • 无引脚SMT封装，25 mm2 (HMC329LM3)


HMC329为双平衡MMIC混频器，采用芯片(HMC329)、符合RoHS标准的无引脚SMT封装(HMC329LC3B)和SMT无引脚芯片载体封装(HMC329LM3)。 HMC329器件可用作上变频器或下变频器。 HMC329混频器可用作上变频器或下变频器，芯片面积小至0.85 mm × 0.55 mm。片内巴伦提供出色的隔离性能，且该芯片无需外部元件和直流偏置。 采用安装和焊接在50 Ω微带测试夹具中的芯片进行HMC329测量，测试夹具中芯片和K型连接器之间有5 mil氧化铝基板。 测得的数据包括组件的寄生效应。 采用最小长度小于0.31 mm (<12 mil)的0.076 mm (3 mil)焊线实现与芯片的RF连接。

应用

  • 微波点对点无线电
  • 点对点无线电
  • 点对多点无线电和甚小孔径终端(VSAT
  • 本地多点分配系统(LMDS)
  • 卫星通信(SATCOM)
  • 测试设备和传感器
  • 军用最终用途
  • 雷达



HMC329
HMC329 / HMC329LC3B / HMC329LM3

HMC329： GaAs单芯片微波集成电路(MMIC)双平衡混频器芯片，25 GHz至40 GHz

HMC329LC3B： GaAs MMIC基波混频器，采用表面贴装技术(SMT)，24 GHz至32 GHz

HMC329LM3： GaAs MMIC双平衡混频器，采用SMT封装，26 GHz至40 GHz


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部分模型 产品周期 描述
HMC329ALC3B

GaAs MMIC基波混频器，24 - 32 GHz

HMC329A-Die
22 GHz 至 38 GHz GaAs MMIC 双平衡混频器
HMC1106
推荐用于新设计 GaAs MMIC混频器，15 - 36 GHz
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工具及仿真模型

S-参数 3

评估套件
EVAL-HMC329LC3B
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