替代器件

  • HMC1118
    HMC1118

    Functional alternative in Silicon (SOI)

概览

优势和特点

  • 隔离:57 dB @ 3 GHz
    50 dB @ 6 GHz 
  • 输入 P1dB: +30 dBm
  • 插入损耗: 1.5 dB(典型值,6 GHz)
  • 非反射式设计
  • 4x4 mm QFN SMT 封装



产品详情

HMC232ALP4E是一款宽带高隔离非反射式GaAs MESFET SPDT开关,采用低成本无引脚QFN表贴塑料封装。 该开关的工作频率范围为直流至12 GHz,在最高3 GHz频率下提供>57dB的隔离,在最高12 GHz频率下提供>45 dB的隔离。 输入P1dB压缩为+30 dBm(典型值),同时输入IP3为+48 dBm。 该开关采用-5/0V的互补负控制电压逻辑线路工作,无需偏置电源。

应用

  • 电信基础设施 
  • 微波无线电和VSAT
  • 军用无线电、雷达和ECM
  • 测试仪器仪表

产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。

评估套件 (1)

工具及仿真模型

S参数

设计工具

ADIsimRF

ADI公司的ADIsimRF设计工具可以计算RF信号链内的大部分重要参数,包括级联增益、噪声系数、IP3、P1dB和总功耗。

设计资源

ADI始终把满足您最高可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。

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