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HMC1118

推荐用于新设计

高隔离SPDT非反射开关、9 kHz - 13 GHz

产品技术资料帮助

ADI公司所提供的资料均视为准确、可靠。但本公司不为用户在应用过程中侵犯任何专利权或第三方权利承担任何责任。技术指标的修改不再另行通知。本公司既没有含蓄的允许,也不允许借用ADI公司的专利或专利权的名义。本文出现的商标和注册商标所有权分别属于相应的公司。

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概述

  • 非反射50Ω设计
  • 正控制电压: 0/+3.3V
  • 低插入损耗: 0.68 dB (8.0 GHz时)
  • 高隔离度: 48 dB (8.0 GHz时)
  • 高功率处理:
    • 35 dBm(通过路径)
    • 27 dBm(端接路径)
  • 高线性度:
    • 1 dB压缩(P1dB):37 dBm(典型值)
    • 输出三阶交调截点(IIP3):62 dBm(典型值)
  • ESD额定值: 2kV 人体模型(HBM)
  • 3 x 3 mm 16引脚LFCSP封装
  • 无低频杂散
  • 建立时间(最终RFOUT的0.05 dB裕量):7.5 μs

HMC1118是一款通用、宽带、非反射式单刀双掷(SPDT)开关,采用LFCSP表贴封装。该开关频率范围为9 kHz至13.0 GHz,具有高隔离度和低插入损耗。该开关具有48 dB以上的隔离性能,8.0 GHz及以下频率时的插入损耗为0.68 dB,最终RFOUT的0.05 dB裕量的建立时间为7.5 μs。该开关采用+3.3 V和0 V的正控制电压逻辑线路工作,需要+3.3 V和−2.5 V电源供电。仅施加一个正电源电压而负电源电压(VSS)接地时,HMC1118的工作频率范围不变,并且仍能保持良好的功率处理性能。该器件采用3 mm × 3 mm表贴LFCSP封装。

应用
  • 测试仪器仪表
  • 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT)
  • 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM)
  • 光纤和宽带电信

HMC1118
高隔离SPDT非反射开关、9 kHz - 13 GHz
HMC1118 Functional Block Diagram HMC1118 Pin Configuration
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ADRF5019 推荐用于新设计 100 MHz 至 13 GHz 硅 SPDT 非反射式开关
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