HMC1113

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GaAs MMIC I/Q下变频器，10 - 16 GHz

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概述

  • 转换增益：12 dB
  • 镜像抑制：25 dBc
  • LO至RF隔离：45 dB
  • 噪声系数：1.8 dB
  • IP3：1 dBm
  • 32引脚5 x 5 mm SMT封装

HMC1113LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用无铅5 x 5 mm低应力注塑塑料表贴封装。 该器件提供12 dB的小信号转换增益、1.8 dB的噪声系数和25 dBc的镜像抑制性能。 HMC1113LP5E采用LNA，后接由LO缓冲器放大器驱动的镜像抑制混频器。 该镜像抑制混频器使得LNA之后无需使用滤波器，并可消除镜像频率下的热噪声。 它具有I/Q混频器输出，所需外部90°混合型器件用于选择所需边带。 HMC1113LP5E为混合型镜像抑制混频器下变频器组件的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。

应用

  • 点对点和点对多点无线电
  • 军用雷达、EW和ELINT
  • 卫星通信
  • 海事和移动无线电
HMC1113
GaAs MMIC I/Q下变频器，10 - 16 GHz
hmc1113lp3e_fbl
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