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HMC-ALH382 Data Sheet4/22/2015
概览
优势和特点
- 噪声系数: 3.8 dB
- P1dB: +12 dBm
- 增益: 21 dB
- 电源电压: +2.5V
- 50 Ω匹配输入/输出
- 裸片尺寸: 1.55 x 0.73 x 0.1 mm
产品详情
HMC-ALH382是一款高动态范围、四级GaAs HEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为57至65 GHz。 HMC-ALH382具有21 dB小信号增益、4 dB噪声系数和+12 dBm输出功率(1 dB压缩),采用+2.5V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器已完全钝化以实现可靠操作。
这款多功能LNA兼容传统的芯片贴装方式以及热压缩和热超声线焊工艺,非常适合MCM和混合微电路应用。 此处显示的所有数据均是芯片在50 Ω环境下使用RF探头接触测得。
应用
- 短程/高容量链路
- 无线局域网(LAN)
- 军事和太空
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
参考资料
工具及仿真模型
S参数
设计工具
ADIsimRF是一款简单易用的RF信号链计算工具。可以计算和导出多达50级的信号链级联增益、噪声、失真和功耗并绘制其曲线。ADIsimRF还包括丰富的ADI射频和混合信号元件的器件模型数据库。
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
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HMC-ALH382 | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
HMC-ALH382-SX | 材料声明 | 质量和可靠性 | CHIPS OR DIE | |
Wafer Fabrication Data |
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