DS28E04-100
DS28E04-100
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产品模型
2
特性
- 4096位EEPROM存储器,划分成16页,每页256位
- 7个地址输入,用于配置物理地置
- 两个通用PIO引脚,具有脉冲产生功能
- 独立的存储器页面可永久写保护或进入OTP EPROM仿真模式(写入0)
- 采用1-Wire协议,通过单线数字信号,以15.3kbps或111kbps速率与主机通信
- 寄生或VCC供电
- 基于PIO状态或PIO状态变化的的条件搜索
- 有噪声时,通过切换点滞回和滤波优化性能
- 2.8V至5.25V宽电压范围,-40°C至+85°C温度范围进行读写操作
- 16引脚,150mil SO封装
更多细节
DS28E04-100是具有7个地址输入的4096位,1-Wire® EEPROM芯片。地址输入直接映射到1-Wire 64位器件ID号上,使主机系统能够在多器件1-Wire网络环境中直接识别出DS28E04-100的物理地置和功能。4096位EEPROM阵列配置为16页,每页32字节,另外还有用来进行写操作的32字节暂存器。EEPROM存储器页可单独进行写保护或置为EPROM仿真模式,此时每一位只能由1变为0。除存储器外,DS28E04-100还具有两个通用I/O端口,可用于输入或产生电平和/或脉冲输出。状态变化寄存器还用于指示端口状态变化。DS28E04-100通过单触点1-Wire总线进行通信。通信符合标准的Dallas Semiconductor 1-Wire协议。
应用
- 接入产品、光网络单元和PBX
- 配件/PCB识别
- null
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产品模型
2
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DS28E04-100
文档
32
筛查
1 应用
全部
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数据手册
3
可靠性数据
1
更新 01/12/2023
英文
DS28E04-100 Reliability Data
11.71K
应用笔记
4
HTML
更新 03/29/2001
英文
HTML
更新 06/13/2011
英文
HTML
更新 03/01/2012
中文
HTML
更新 12/08/2011
日文
技术文章
21
HTML
更新 05/30/2002
英文
HTML
更新 09/16/2004
中文
HTML
更新 09/28/2004
日文
HTML
更新 11/16/2001
英文
HTML
更新 08/25/2004
中文
HTML
更新 11/16/2001
日文
HTML
更新 07/11/2001
英文
HTML
更新 07/08/2008
英文
HTML
更新 06/28/2004
中文
HTML
更新 08/08/2002
日文
HTML
更新 06/17/2008
英文
HTML
更新 11/20/2008
中文
HTML
更新 11/07/2008
日文
HTML
更新 03/03/2004
英文
HTML
更新 03/03/2004
中文
HTML
更新 11/10/2008
日文
HTML
更新 03/04/2011
英文
HTML
更新 08/02/2011
中文
HTML
更新 02/21/2023
英文
HTML
更新 02/21/2023
中文
HTML
更新 02/21/2023
日文
设计笔记
3
HTML
更新 02/09/2007
英文
HTML
更新 03/06/2007
中文
HTML
更新 03/02/2009
日文
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产品技术资料帮助
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参考资料
技术文档
14
数据手册 2
可靠性数据 1
应用笔记 2
设计笔记 1
技术文章 8
设计资源 2
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号,脚注和 3D模型 |
---|---|---|---|
DS28E04S-100+ | Small-Outline IC, Narrow (0.15in) |
|
|
DS28E04S-100+T | Small-Outline IC, Narrow (0.15in) |
|
- DS28E04S-100+
- 引脚/封装图-中文版
- Small-Outline IC, Narrow (0.15in)
- 文档
- HTML Material Declaration
- HTML Reliablity Data
- CAD 符号,脚注和 3D模型
- Ultra Librarian
- SamacSys
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PCN/PDN 信息
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产品型号
产品生命周期
PCN
8月 18, 2021
- 1702RA
ASSEMBLY
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量产
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