特性
  • Four P channel power FET switches, each supplying >300mA @ 0.2V drop
  • Controlled directly from CMOS or TTL level signals
  • Switching time <10µs at rated supply current
  • Positive logic signal turns each FET on
  • Ground or low-level signal turns each FET off
  • <50nA of current flow in off condition
  • Low control gate capacitance of <5pF
  • FET gates can either follow inputs or be latched
  • Power supply range: +3V to +5V

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