ADRF5715
推荐用于新设计硅数字衰减器，1 位，1 MHz 至 30 GHz
- 产品模型
- 2
概述
- 超宽带频率范围：1 MHz 至 30 GHz
- 衰减范围：16 dB（典型值）
- 低插入损耗
- 0.6 dB (8 GHz)
- 0.8 dB (18 GHz)
- 1.15 dB (30 GHz)
- 衰减精度
- ±0.15 dB 典型值，最高 18 GHz
- 18 GHz 至 30 GHz：±0.20 dB（典型值）
- 高输入线性度
- P0.1dB 插入损耗状态：33 dBm（典型值）
- P0.1dB 16 dB 衰减状态：30 dBm（典型值）
- IP3 插入损耗路径：51 dBm（典型值）
- IP3 16 dB 衰减状态：49 dBm（典型值）
- 高 RF 功率处理能力
- ATTIN 和 ATTOUT 的输入
- 30 dBm（典型值）稳态平均值
- 33 dBm（典型值）稳态峰值
- ATTIN 和 ATTOUT 的输入
- RF 幅度建立时间（0.1 dB 最终 RFOUT）：6.5 μs（典型值）
- 支持单电源工作
- 在相对相位中紧密分布
- 无低频杂散信号
- 与 CMOS/LVTTL 兼容
- 12 端子 2.25 mm x 2.25 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装
ADRF5715 是一款 1 位数字硅工艺衰减器，衰减率为 16 dB。
ADRF5715 的工作频率范围为 1 MHz 至 30 GHz，具有优于 1.15 dB 的插入损耗和出色的衰减精度。ADRF5715 的 ATTIN 和 ATTOUT 端口的射频功率处理能力为 30 dBm 稳态平均值和 33 dBm 稳态峰值。
ADRF5715 需要 +3.3 V 和 −3.3 V 的双电源电压。此套件采用互补金属氧化物半导体 (CMOS)-/低电压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容控制。
ADRF5715 也可以使用单个正电源电压 (VDD) 下工作，同时负电源电压 (VSS) 接地。有关更多详细信息，请参见“工作原理”部分。
ADRF5715 射频端口旨在匹配 50 Ω 的特性阻抗。ADRF5715 采用符合 RoHS 标准的 12 端子、2.25 mm × 2.25 mm、LGA 封装， 并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
应用
参考资料
数据手册 2
用户手册 1
评估设计文件 1
视频 1
ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。
| 产品型号 | 引脚/封装图-中文版 | 文档 | CAD 符号，脚注和 3D模型 |
|---|---|---|---|
| ADRF5715BCCZN | 12-terminal LGA (2.25 mm x 2.25 mm x 0.75 mm) (CC-12-6) | ||
| ADRF5715BCCZN-R7 | 12-terminal LGA (2.25 mm x 2.25 mm x 0.75 mm) (CC-12-6) |
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