概览

优势和特点

  • 集成式双通道 RF 前端
    • 2 级 LNA 和高功率硅 SPDT 开关
    • 片内偏置和匹配
    • 单电源供电
  • 增益
    • 高增益模式:3.6 GHz 时为 33 dB(典型值)
    • 低增益模式:3.6 GHz 时为 16 dB(典型值)
  • 低噪声指数
    • 高增益模式:3.6 GHz 时为 1.0 dB(典型值)
    • 低增益模式:3.6 GHz 时为 1.0 dB(典型值)
  • 高隔离
    • RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB:45 dB(典型值)
    • TERM-CHA 和 TERM-CHB:60 dB(典型值)
  • 低插入损耗:3.6 GHz 时为 0.45 dB(典型值)
  • TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
    • 整个生命周期
      • LTE 平均功率 (9 dB PAR):43 dBm
    • 高 OIP3(高增益模式):32 dBm(典型值)
    • 关断模式和低增益模式(针对 LNA)
    • 低电源电流
      • 高增益模式:5 V 时为 86 mA(典型值)
      • 低增益模式:5 V 时为 36 mA(典型值)
      • 关断模式:5 V 时为 12 mA(典型值)
    • 正逻辑控制
    • 6 mm × 6 mm 40 引脚 LFCSP 封装
    • 与 ADRF5545A 10 W 版本引脚兼容

产品详情

ADRF5515是一款双通道、集成RF、前端、多芯片模块,设计用于时分双工(TDD)应用。该设备的工作频率为3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF5515采用双通道配置,具有级联、两级、LNA和大功率硅SPDT开关。

在高增益模式下,级联两级LNA和开关提供1.0 dB的低噪声系数和33 dB的高增益(频率为3.6 GHz)以及32 dBm(典型值)的输出3阶交调点(OIP3)。在低增益模式下,两级LNA的一级处于旁路状态,在36 mA的较低电流下提供16 dB的增益。在关断模式下,LNA都会关闭且器件功耗为12 mA。

在发射操作中,当RF输入连接到端电极引脚(TERM-CHA或TERM-CHB)时,该开关提供0.45 dB的低插入损耗,并在整个生命周期内处理43 dBm的长期演进(LTE)平均功率(9 dB峰值/平均值比(PAR))。

ADRF5515的引脚与ADRF5545A 10 W版本兼容,后者在2.4 GHz至4.2 GHz的频率范围内工作。

ADRF5515在RF端口上不需要任何匹配元件,该端口可内部匹配至50 Ω。ANT和TERM端口也在内部交流耦合。因此,只有接收端口需要外部隔直电容。

该器件采用符合RoHS标准的紧凑型6 mm ×6 mm 40引脚LFCSP封装。

应用

  • 无线基础设施
  • TDD大规模多路输入和多路输出和有源天线系统
  • 基于TDD的通信系统

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