概览
优势和特点
- 反射式设计
- 低插入损耗
- 0.35 dB 至 2.8 GHz（典型值）
- 0.40 dB 至 3.8 GHz（典型值）
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- 长期（>10 年）平均值
- 连续波功率：39 dBm
- 长期演进信号
- 平均功率：39 dBm
- 峰值功率：49 dBm
- 高输入线性度，IP3：84 dBm（典型值）
- ESD 额定值
- HBM：2000 伏，2 级
- CDM：1000 V，C3 级
- 单电源运行，集成 NVG
- 正控制，兼容 LVCMOS-/LVTTL
- 4 毫米 x 4 毫米、22 端子 LGA 封装
产品详情
ADRF5345是一款高线性度、反射式、单刀四掷(SP4T)开关，采用硅工艺制造。
ADRF5345的工作频率范围为1.8 GHz至3.8 GHz，具有低于0.40 dB的典型插入损耗以及84 dBm的典型输入IP3。针对长期演进(LTE)信号，该器件具有39 dBm（连续波信号）、39 dBm（平均值）和49 dBm（峰值）的RF输入功率处理能力。
ADRF5345集成负电压发生器(NVG)，可采用施加于VDD引脚的5 V (VDD)单正电源供电，同时消耗2 mA的电源电流。该器件利用低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。
ADRF5345采用符合RoHS标准的4 mm × 4 mm、22引脚、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。
应用
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
参考资料
工具及仿真模型
S参数
ZIP
ADRF5345 S-Parameters
675.48 K
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| ADRF5345BCCZN | 材料声明 | 质量和可靠性 | 22-Terminal LGA (4 x 4mm x 0.776mm with a 2.4 x 2.4mm) | |
| ADRF5345BCCZN-R7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 22-Terminal LGA (4 x 4mm x 0.776mm with a 2.4 x 2.4mm) | |
| ADRF5345BCCZN-RL | 材料声明 | 质量和可靠性 | 22-Terminal LGA (4 x 4mm x 0.776mm with a 2.4 x 2.4mm) | |
| Wafer Fabrication Data |
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