概览
优势和特点
- 反射式设计
- 低插入损耗
- 0.35 dB 至 2.8 GHz（典型值）
- 0.40 dB 至 3.8 GHz（典型值）
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- 长期（>10 年）平均值
- 连续波功率：39 dBm
- 长期演进信号
- 平均功率：39 dBm
- 峰值功率：49 dBm
- 高输入线性度，IP3：84 dBm（典型值）
- ESD 额定值
- HBM：2000 伏，2 级
- CDM：1000 V，C3 级
- 单电源运行，集成 NVG
- 正控制，兼容 LVCMOS-/LVTTL
- 4 毫米 x 4 毫米、22 端子 LGA 封装
产品详情
ADRF5345是一款高线性度、反射式、单刀四掷(SP4T)开关，采用硅工艺制造。
ADRF5345的工作频率范围为1.8 GHz至3.8 GHz，具有低于0.40 dB的典型插入损耗以及84 dBm的典型输入IP3。针对长期演进(LTE)信号，该器件具有39 dBm（连续波信号）、39 dBm（平均值）和49 dBm（峰值）的RF输入功率处理能力。
ADRF5345集成负电压发生器(NVG)，可采用施加于VDD引脚的5 V (VDD)单正电源供电，同时消耗2 mA的电源电流。该器件利用低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。
ADRF5345采用符合RoHS标准的4 mm × 4 mm、22引脚、基板栅格阵列(LGA)封装，工作温度范围为−40°C至+105°C。
应用
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
工具及仿真模型
S参数
ZIP
ADRF5345 S-Parameters
675.48 K
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
样片申请及购买
电脑版网站提供样片和购买功能
所列的美国报价单仅供预算参考，指美元报价（规定订量的单价，美国离岸价），如有修改，恕不另行通知。由于地区关税、商业税、汇率及手续费原因，国际报价可能不同。对于指定订量报价或交货报价，请联系当地的ADI办事处或授权代理商。对于评估板和套件的报价是指单片价格。
采样：
选择上方“样片”按钮将重定向至第三方ADI样片网站。登录后，所选部件将转移到您在此网站上的购物车。如果您之前从未使用过此网站，请创建一个新帐户。有关此样片网站的任何问题，请联系SampleSupport@analog.com。