概览

优势和特点

  • 反射式设计
  • 低插入损耗
    • 0.35 dB 至 2.8 GHz(典型值)
    • 0.40 dB 至 3.8 GHz(典型值)
  • TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
    • 长期(>10 年)平均值
      • 连续波功率:39 dBm
      • 长期演进信号
        • 平均功率:39 dBm
        • 峰值功率:49 dBm
  • 高输入线性度,IP3:84 dBm(典型值)
  • ESD 额定值
    • HBM:2000 伏,2 级
    • CDM:1000 V,C3 级
  • 单电源运行,集成 NVG
  • 正控制,兼容 LVCMOS-/LVTTL
  • 4 毫米 x 4 毫米、22 端子 LGA 封装

产品详情

ADRF5345是一款高线性度、反射式、单刀四掷(SP4T)开关,采用硅工艺制造。

ADRF5345的工作频率范围为1.8 GHz至3.8 GHz,具有低于0.40 dB的典型插入损耗以及84 dBm的典型输入IP3。针对长期演进(LTE)信号,该器件具有39 dBm(连续波信号)、39 dBm(平均值)和49 dBm(峰值)的RF输入功率处理能力。

ADRF5345集成负电压发生器(NVG),可采用施加于VDD引脚的5 V (VDD)单正电源供电,同时消耗2 mA的电源电流。该器件利用低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。

ADRF5345采用符合RoHS标准的4 mm × 4 mm、22引脚、基板栅格阵列(LGA)封装,工作温度范围为−40°C至+105°C。

应用

  • 5G天线倾斜
  • 无线基础设施
  • 军事和高可靠性应用
  • 测试设备
  • 引脚二极管替代器件
  • 产品生命周期 icon-recommended 推荐新设计使用

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