概览
优势和特点
- 反射式设计
- 低插入损耗
- 0.35 dB 至 2.8 GHz(典型值)
- 0.40 dB 至 3.8 GHz(典型值)
- TCASE = 105°C 时具有高功率处理能力
- 长期(>10 年)平均值
- 连续波功率:39 dBm
- 长期演进信号
- 平均功率:39 dBm
- 峰值功率:49 dBm
- 高输入线性度,IP3:84 dBm(典型值)
- ESD 额定值
- HBM:2000 伏,2 级
- CDM:1000 V,C3 级
- 单电源运行,集成 NVG
- 正控制,兼容 LVCMOS-/LVTTL
- 4 毫米 x 4 毫米、22 端子 LGA 封装
产品详情
ADRF5345是一款高线性度、反射式、单刀四掷(SP4T)开关,采用硅工艺制造。
ADRF5345的工作频率范围为1.8 GHz至3.8 GHz,具有低于0.40 dB的典型插入损耗以及84 dBm的典型输入IP3。针对长期演进(LTE)信号,该器件具有39 dBm(连续波信号)、39 dBm(平均值)和49 dBm(峰值)的RF输入功率处理能力。
ADRF5345集成负电压发生器(NVG),可采用施加于VDD引脚的5 V (VDD)单正电源供电,同时消耗2 mA的电源电流。该器件利用低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS)/低压晶体管对晶体管逻辑(LVTTL)兼容控制。
ADRF5345采用符合RoHS标准的4 mm × 4 mm、22引脚、基板栅格阵列(LGA)封装,工作温度范围为−40°C至+105°C。
应用
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
工具及仿真模型
S参数
ZIP
ADRF5345 S-Parameters
675.48 K
设计资源
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