概览
优势和特点
- 反射式设计
- 低插入损耗：1.4 dB（典型值）
- 高隔离：30 dB（典型值）
- 高输入线性度：
- P0.1dB：36 dBm
- 输入 IP3：52 dBm
- 高 RF 功率处理能力
- 平均值为 28 dBm
- 峰值为 36 dBm
- 单电源供电：3.3V
- 内部 NVG
- RF 建立时间（0.1 dB 最终 RF 输出）：50 ns
- 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装
产品详情
ADRF5301 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀四掷 (SPDT) 开关。
ADRF5301 专为 37 GHz 至 49 GHz 的 5G 应用而开发。该器件具有 1.4 dB 的低插入损耗、30 dB 的高隔离以及 28 dBm 平均值和 36 dBm 峰值射频 (RF) 输入功率处理能力。
ADRF5301 包含一个负电压发生器 (NVG)，由施加到 VDD 引脚的 3.3 V 单一正电源供电。该器件采用兼容互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管至晶体管逻辑 (LVTTL) 的控制。
ADRF5301 采用符合 RoHS 标准的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
应用
- 工业扫描仪
- 测试仪器仪表
- 蜂窝基础设施毫米波 5G
- 军用无线电、雷达和电子对抗 (ECM)
- 微波射频和甚小孔径终端 (VSAT)
产品生命周期
推荐新设计使用
本产品已上市。数据手册包含所有最终性能规格和工作条件。ADI公司推荐新设计使用这些产品。
评估套件 (1)
参考资料
工具及仿真模型
S参数
ZIP
ADRF5301 S-Parameters
770.42 K
设计资源
ADI始终把满足您可靠性水平的产品放在首要位置。我们通过在所有产品、工艺设计和制造过程中引入高质量和可靠性检查实践这一承诺。发运的产品实现“零缺陷”始终是我们的目标。
| Part Number | Material Declaration | Reliability Data | Pin/Package Drawing | CAD Symbols, Footprints & 3D Models |
|---|---|---|---|---|
| ADRF5301BCCZN | 材料声明 | 质量和可靠性 | 20-lead LGA (3mm × 3mm w/ EP) | |
| ADRF5301BCCZN-R7 | 材料声明 | 质量和可靠性 | 20-lead LGA (3mm × 3mm w/ EP) | |
| ADRF5301BCCZN-RL | 材料声明 | 质量和可靠性 | 20-lead LGA (3mm × 3mm w/ EP) | |
| Wafer Fabrication Data |
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