概览
优势和特点
- 反射式设计
- 低插入损耗：44 GHz 时为 1.8 dB
- 高隔离：44 GHz 时为 28 dB
- 高输入线性度
- 0.1 dB 功率压缩 (P0.1dB)：37 dBm
- 3 阶交调点 (IP3)：52 dBm
- 高 RF 功率处理能力：
- 平均值为 28 dBm
- 峰值为 36 dBm
- 单电源供电：3.3V
- 内部负电压发生器 (NVG)
- RF 建立时间（0.1 dB 最终 RF 输出）：45 ns
- 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列封装
- 引脚与 ADRF5300 兼容：24 GHz - 32 GHz
产品详情
ADRF5301 是一款利用硅工艺制造的反射式单刀双掷 (SPDT) 开关。
ADRF5301 专为 35 GHz 至 44 GHz 的 5G 应用而开发。该器件具有 1.8 dB 的低插入损耗、28 dB 的高隔离以及 28 dBm 平均值和 36 dBm 峰值射频 (RF) 输入功率处理能力。
ADRF5301 包含一个负电压发生器 (NVG)，由施加到 VDD 引脚的 3.3 V 单一正电源供电。这些器件采用互补金属氧化物半导体 (CMOS)/低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容控制。
ADRF5301 的引脚与 ADRF5300 兼容，后者在 24 GHz 至 32 GHz 的频率范围内工作。
ADRF5301 采用符合 RoHS 标准的 20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装，并可在 −40°C 至 +105°C 的温度范围内工作。
应用
- 工业扫描仪
- 测试仪器仪表
- 蜂窝基础设施毫米波 5G
- 军用无线电、雷达和电子对抗 (ECM)
- 微波无线电和甚小孔径终端 (VSAT)
产品生命周期
预发布
本产品为新品，工程验证可能仍在进行中。我们正在准备量产，数量可能有限，设计规格可能会改变。
工具及仿真模型
S参数
参考资料
产品选型手册 (1)
解决方案通报和手册 (1)
视频 (1)
ADI公司适用于5G的硅(SOI) RF前端解决方案
设计资源
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